中国电子科技集团公司第二十九研究所朱晨俊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利一种三维堆叠屏蔽结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411268172.7，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权一种三维堆叠屏蔽结构及其制备方法是由朱晨俊;张剑;卢茜;常文涵;易双秦;叶惠婕;廖承举;董乐;赵明;芦滨雁;彭颐豫;张未希设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维堆叠屏蔽结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维堆叠屏蔽结构及其制备方法，该屏蔽结构包括第一芯片以及第二芯片，所述第一芯片以及所述第二芯片上均具有两列相对设置的射频地焊盘以及设置在所述射频地焊盘外围的信号传输焊盘，所述第一芯片的信号传输焊盘上键合有信号传输双层金基钉头凸点，所述第一芯片上相对设置的两列射频地焊盘之间顺次通过屏蔽金丝键合互联，所述屏蔽金丝在其与所述射频地焊盘的键合点处键合有单层钉头凸点，所述单层钉头凸点与该键合点组合形成接地双层金基钉头凸点，所述第二芯片倒装在由第一芯片、信号传输双层金基钉头凸点以及接地双层金基钉头凸点共同组成的组合体上，以形成三维堆叠结构。本发明能够解决微波芯片三维堆叠结构中由空气腔高度不足而导致的上下层间电磁干扰问题。
本发明授权一种三维堆叠屏蔽结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维堆叠屏蔽结构，其特征在于，包括第一芯片以及第二芯片，所述第一芯片以及所述第二芯片上均具有两列相对设置的射频地焊盘以及设置在所述射频地焊盘外围的信号传输焊盘，所述第一芯片的信号传输焊盘上键合有信号传输双层金基钉头凸点，所述第一芯片上相对设置的两列射频地焊盘之间顺次通过屏蔽金丝键合互联，所述屏蔽金丝在其与所述射频地焊盘的键合点处键合有单层钉头凸点，所述单层钉头凸点与该键合点组合形成接地双层金基钉头凸点，所述第二芯片倒装在由第一芯片、信号传输双层金基钉头凸点以及接地双层金基钉头凸点共同组成的组合体上，以形成三维堆叠结构。
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