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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利等离子体射流离子源、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119255463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411280017.7，技术领域涉及：H05H1/26；该发明授权等离子体射流离子源、制备方法及应用是由李华;蒙柳君;蒋雪萍;梁振保;王风云;杜晓霞设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体射流离子源、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种等离子体射流离子源、制备方法及应用，该等离子体射流离子源，包括：安装体，安装体为一体成型，安装体具有金属容纳腔、正极安装位、第一注入孔和载气流道；金属容纳腔为环状结构，位于安装体内形成负极安装位，与正极安装位相对设置，且二者之间具有预设间距；正电极，固定于正极安装位；负电极，填充于金属容纳腔内，负电极的材料的熔点低于安装体的材料的熔点。上述的等离子体射流离子源中，由于安装体为一体成型的结构，金属容纳腔和正极安装位的预设间距，可以精确的控制在1mm以内。正电极固定在正极安装位上，因此负电极和正电极的电极间距即为预设间距，达到了精确控制电极间距，准确控制放电间距的目的。

本发明授权等离子体射流离子源、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种等离子体射流离子源，其特征在于，包括： 安装体，所述安装体为一体成型，所述安装体具有金属容纳腔、正极安装位、第一注入孔和载气流道；所述金属容纳腔为环状结构，位于所述安装体内形成负极安装位，与所述正极安装位相对设置，且二者之间具有预设间距；所述第一注入孔位自所述金属容纳腔远离所述正极安装位一侧，与金属容纳腔连通；所述载气流道贯穿于所述安装体，并位于所述金属容纳腔的中心； 其中，所述安装体包括第一安装本体和在所述第一安装本体的顶面上分布的封气部、支撑柱、支撑面和针头固定部；所述金属容纳腔和所述第一注入孔位于所述第一安装本体；所述封气部位于所述第一安装本体的中心，二者具有贯穿的针孔，形成所述正极安装位，正电极为空心针管，针头固定在所述针头固定部内与所述支撑面相抵，针尖延伸至所述针孔位于所述第一安装本体的部分，所述空心针管的中心为所述载气流道； 或，所述安装体包括第二安装本体和突出于在所述第二安装本体的顶面的环形腔室，所述环形腔室形成所述正极安装位；所述正电极为环形电极，填充于所述正极安装位内；所述载气流道位于所述正极安装位的中心； 正电极，固定于所述正极安装位； 负电极，填充于金属容纳腔内，所述负电极的材料的熔点低于所述安装体的材料的熔点。

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