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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411288688.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由李永亮;孙龙雨;雒怀志;罗军设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以提高半导体器件的良率。半导体器件的制造方法包括：在半导体基底上形成鳍状结构。沿半导体基底的厚度方向，鳍状结构包括交替层叠的第一牺牲层和沟道层、以及交替层叠的第二牺牲层和第三牺牲层。接下来，形成横跨在鳍状结构上的掩膜结构。接下来，选择性去除第二牺牲层，以形成第一介质填充区域。在第一介质填充区域内形成第一中部介质隔离层。接下来，去除未被掩膜结构覆盖的第一牺牲层、沟道层、第一中部介质隔离层和第三牺牲层。接下来，在位于剩余的第一中部介质隔离层下方的剩余第一牺牲层和沟道层的两侧分别形成第一源区和第一漏区。接下来，在第一源区和第一漏区上形成绝缘层。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在半导体基底上形成鳍状结构；沿所述半导体基底的厚度方向，所述鳍状结构包括交替层叠的第一牺牲层和沟道层、以及交替层叠的第二牺牲层和第三牺牲层；所述交替层叠的第一牺牲层和沟道层位于所述交替层叠的第二牺牲层和第三牺牲层沿厚度方向的两侧；所述交替层叠的第一牺牲层和沟道层中位于底层和顶层的膜层均为所述第一牺牲层；所述交替层叠的第二牺牲层和第三牺牲层中位于底层和顶层的膜层均为所述第二牺牲层； 形成横跨在所述鳍状结构上的掩膜结构； 选择性去除所述第二牺牲层，以形成第一介质填充区域； 在所述第一介质填充区域内形成第一中部介质隔离层； 去除未被掩膜结构覆盖的所述第一牺牲层、所述沟道层、所述第一中部介质隔离层和所述第三牺牲层； 在位于剩余的所述第一中部介质隔离层下方的剩余所述第一牺牲层和所述沟道层的两侧分别形成第一源区和第一漏区； 在所述第一源区和所述第一漏区上形成绝缘层； 在所述绝缘层上、且在位于剩余的所述第一中部介质隔离层上方的剩余所述第一牺牲层和所述沟道层的两侧分别形成第二源区和第二漏区；所述第二源区和所述第二漏区的导电类型与所述第一源区和所述第一漏区的导电类型相反。

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