晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司张晓攀获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触太阳能电池的制备方法及光伏组件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411297977.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触太阳能电池的制备方法及光伏组件的制备方法是由张晓攀;王文睿;黄纪德;刘长明;张昕宇设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触太阳能电池的制备方法及光伏组件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请关于一种背接触太阳能电池的制备方法及光伏组件的制备方法，本申请的背接触太阳能电池制备方法中利用单层预制介质层和单层掩膜层以辅助形成第一掺杂导电部分和第二掺杂导电部分。本申请的方法中用于形成掺杂导电部分所需的工序数量较少，因此，本申请的方法可以提高关于背接触太阳能电池的生产效率。
本发明授权背接触太阳能电池的制备方法及光伏组件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供硅基底、隧穿层和预制介质层，所述隧穿层位于所述硅基底和所述预制介质层之间； 在所述预制介质层的背离所述隧穿层的一侧形成图形化掩膜层，其中，所述图形化掩膜层设置有第一扩散通道，所述预制介质层中对应于所述第一扩散通道的部分为第一待扩散部分； 通过所述第一扩散通道向所述第一待扩散部分扩散导电杂质，以使所述第一待扩散部分成为第一掺杂导电部分，并且在所述第一掺杂导电部分的背离所述隧穿层的一侧和在所述图形化掩膜层的背离所述隧穿层的一侧形成第一硅玻璃层； 利用激光去除所述第一硅玻璃层的局部和照射所述图形化掩膜层的局部，以形成与所述第一扩散通道间隔设置的第二扩散通道，其中，所述预制介质层中对应于第二扩散通道的部分为第二待扩散部分，所述第二待扩散部分与所述第一掺杂导电部分间隔设置； 通过所述第二扩散通道向所述第二待扩散部分扩散另一导电杂质，以使所述第二待扩散部分成为第二掺杂导电部分，并且在所述第二掺杂导电部分的背离所述隧穿层的一侧和在所述第一硅玻璃层的背离所述隧穿层的一侧形成第二硅玻璃层。
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