同济大学程鑫彬获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种基于电子束灰度光刻制造的闪耀光栅轮廓修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119148274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411299381.8，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种基于电子束灰度光刻制造的闪耀光栅轮廓修正方法是由程鑫彬;朱静远;董思禹;刘亮;魏泽勇;王占山设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电子束灰度光刻制造的闪耀光栅轮廓修正方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于电子束灰度光刻制造的闪耀光栅轮廓修正方法。本发明采用电子束灰度光刻技术进行制造，根据原子力显微镜测试结果，给出了闪耀光栅的光栅面轮廓和曝光剂量分布的函数关系，根据该函数进行剂量分布的修正，实现了光栅面轮廓的修正。与现有技术相比，本发明通过预实验下的微观测试结果，通过拟合函数修正剂量分布实现光栅轮廓的校正，能够避免光栅面弯曲带来的衍射效率下降问题，有效的提高了电子束灰度光刻制造的闪耀光栅的性能。
本发明授权一种基于电子束灰度光刻制造的闪耀光栅轮廓修正方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电子束灰度光刻制造的闪耀光栅轮廓修正方法，其特征在于，包括以下步骤： 利用电子束灰度光刻技术在线性剂量梯度下加工闪耀光栅，利用显微镜测量闪耀光栅面轮廓，得到闪耀光栅的位置数据与其位置对应的高度数据； 在一个光栅周期内，根据测量得到的数据与线性剂量梯度数据进行拟合，得到关于闪耀光栅轮廓高度与剂量的轮廓-剂量函数； 根据轮廓-剂量函数计算当轮廓为直线时的剂量分布，利用计算得到的剂量分布，采用电子束灰度光刻技术在计算得到的剂量分布梯度下加工闪耀光栅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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