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龙图腾网获悉深圳中机新材料有限公司申请的专利用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119118139B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411298466.4，技术领域涉及：C01B33/141；该发明授权用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法是由王鑫;胡佳明;刘胥冠;陈斌设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法。制备方法包括：对四乙氧基硅烷进行纯化处理得到纯化后的四乙氧基硅烷，对超纯水进行多级反渗透和电去离子处理，得到处理后的超纯水；将纯化后的四乙氧基硅烷与处理后的超纯水进行溶胶‑凝胶反应得到初始硅溶胶；进行水热反应处理，得到硅纳米颗粒；使用连续流动离子交换系统和切向流超滤技术对硅溶胶进行纯化处理，得到高纯度硅溶胶；添加稳定剂和偶联剂，得到稳定化硅溶胶；调节pH值至9.5±0.1，得到pH调控后的硅溶胶；对pH调控后的硅溶胶进行高剪切均质处理，并浓缩至固含量为30wt%的高纯硅溶胶。本发明提供了一种化学稳定性好且机械抛光性能优异的高纯硅溶胶。

本发明授权用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤： S1、选择高纯度的四乙氧基硅烷为硅源，超纯水为溶剂，对四乙氧基硅烷进行纯化处理，得到纯化后的四乙氧基硅烷，同时对超纯水进行多级反渗透和电去离子处理，得到处理后的超纯水； S2、将纯化后的四乙氧基硅烷与处理后的超纯水按（1~3）：（4~7）的摩尔比混合，在60±0.5℃下进行溶胶-凝胶反应4小时，得到初始硅溶胶； S3、对初始硅溶胶进行水热反应处理，实时监测并调整水热处理时间，得到平均粒径为20±2nm的硅纳米颗粒； S4、使用连续流动离子交换系统和切向流超滤技术对硅溶胶进行纯化处理，得到高纯度硅溶胶； S5、向所述高纯度硅溶胶中添加稳定剂和偶联剂，得到稳定化硅溶胶，所述稳定剂包括0.5wt%的聚乙烯吡咯烷酮和0.1wt%的聚丙烯酸钠，所述偶联剂为0.05wt%的γ-氨丙基三乙氧基硅烷； S6、使用自动滴定系统将稳定化硅溶胶的pH值调节至9.5±0.1，得到pH调控后的硅溶胶； S7、对pH调控后的硅溶胶进行高剪切均质处理，并浓缩至固含量为30wt%的高纯硅溶胶。

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