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龙图腾网获悉福州大学申请的专利场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208358B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411324313.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管是由朱敏敏;马豪威;杨丹;张海忠设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管在说明书摘要公布了：本发明提出场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管，包括自下而上顺序层叠设置的阴极金属层（1）、高掺杂N型氧化镓衬底（2）、低掺杂N型氧化镓外延层（3）、阳极金属层（4）；所述阳极金属层与低掺杂N型氧化镓外延层顶部处的主结（5）相接；低掺杂N型氧化镓外延层顶部处还设有若干个场限环（6）；本发明简化了工艺步骤，使其能够有效地工业生产，本发明的器件设计缓解了终端区的电场拥挤现象，改善电场分布，进一步提高了氧化镓SBD器件的耐压性能和器件的可靠性。在该结构下，器件的击穿电压得到了大幅提升且只略微提高特征导通电阻，最终实现了高的PFOM值。

本发明授权场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管，其特征在于：包括自下而上顺序层叠设置的阴极金属层（1）、高掺杂N型氧化镓衬底（2）、低掺杂N型氧化镓外延层（3）、阳极金属层（4）；所述阳极金属层与低掺杂N型氧化镓外延层顶部处的主结（5）相接；低掺杂N型氧化镓外延层顶部处还设有若干个场限环（6）； 所述主结（5）置于阳极金属层（4）边缘处； 所述低掺杂N型氧化镓外延层为导电漂移层，具有多个横向排列且间隔程度呈现线性增长趋势的P型半导体环区； 所述场限环设置于所述导电漂移层的顶部； 各场限环在低掺杂N型氧化镓外延层顶部处间隔设置于同一水平面； 所述场限环的厚度不大于1μm； 所述阳极金属层采用的材料为Au、Ni、Pt和TiN的金属；所述阴极金属层采用的材料为Ti、Au；所述高掺杂N型氧化镓衬底厚度为500~650μm，掺杂浓度为1018~1020cm-3的氧化镓材料；所述低掺杂N型氧化镓外延层厚度为5~15μm，掺杂浓度为1015~1017cm-3的氧化镓材料。

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