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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利SONOS存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411328618.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权SONOS存储器的制造方法是由王姿方;刘政红;齐瑞生;章亚男设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本SONOS存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种SONOS存储器的制造方法，先对第二硬掩膜层进行第一刻蚀刻蚀，然后对选择栅极多晶硅层进行第二刻蚀处理，以去除第一硬掩膜层上的部分厚度的选择栅极多晶硅层，第二硬掩膜层的刻蚀速率小于选择栅极多晶硅层的刻蚀速率；对第二硬掩膜层及剩余的选择栅极多晶硅层进行第三刻蚀处理，以去除部分第二硬掩膜层以及去除第一硬掩膜层上的部分选择栅极多晶硅层，第二硬掩膜层的刻蚀速率等于选择栅极多晶硅层的刻蚀速率；以剩余的第二硬掩膜层为掩膜，对剩余的选择栅极多晶硅层进行第四刻蚀处理，并利用第二硬掩膜层与控制栅之间的选择栅极多晶硅层构成选择栅极。如此，可以改善选择栅极的形貌。

本发明授权SONOS存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有至少两个间隔设置的控制栅，每个所述控制栅上均形成有第一硬掩膜层； 形成选择栅极多晶硅层，所述选择栅极多晶硅层覆盖所述第一硬掩膜层和所述衬底； 形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层覆盖所述选择栅极多晶硅层的顶表面和侧壁，其中，所述第二硬掩膜层包括覆盖选择栅极多晶硅层的顶表面的第一部分和覆盖选择栅极多晶硅层侧壁的第二部分，所述第二部分的截面形状为圆弧形； 对所述第二硬掩膜层进行第一刻蚀处理，以去除所述选择栅极多晶硅层顶表面的所述第二硬掩膜层； 以剩余的所述第二硬掩膜层为掩膜，对所述选择栅极多晶硅层进行第二刻蚀处理，以去除所述第一硬掩膜层上的部分厚度的所述选择栅极多晶硅层，在所述第二刻蚀处理过程中，所述第二硬掩膜层的刻蚀速率小于所述选择栅极多晶硅层的刻蚀速率，且所述第二硬掩膜层的第二部分的顶表面高于剩余的所述选择栅极多晶硅层的顶表面； 对所述第二硬掩膜层及剩余的所述选择栅极多晶硅层进行第三刻蚀处理，以去除部分所述第二硬掩膜层的第二部分以及去除所述第一硬掩膜层上的部分所述选择栅极多晶硅层，在所述第三刻蚀处理过程中，所述第二硬掩膜层的刻蚀速率等于所述选择栅极多晶硅层的刻蚀速率，以减小所述第二硬掩膜层的顶表面与剩余的所述选择栅极多晶硅层的顶表面的高度差； 以剩余的所述第二硬掩膜层为掩膜，对剩余的所述选择栅极多晶硅层进行第四刻蚀处理，并刻蚀停止在第一硬掩膜层的顶表面，并利用所述第二硬掩膜层与所述控制栅之间的所述选择栅极多晶硅层构成选择栅极。

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