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龙图腾网获悉杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利一种自聚焦自旋太赫兹发射器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119209172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411334663.7，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种自聚焦自旋太赫兹发射器及制备方法是由张晓强;李秋岳;许涌;林晓阳;赵巍胜设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自聚焦自旋太赫兹发射器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种消色散自聚焦自旋太赫兹发射器及制备方法，具体涉及自旋太赫兹发射设备领域，包括玻璃衬底、自旋太赫兹薄膜、磁铁对，其中自旋太赫兹薄膜由铁磁材料和两种自旋霍尔角大小相等、方向相反的重金属非磁材料交替排列与铁磁材料之上组成。本发明的消色散自聚焦自旋太赫兹发射器，通过特殊排布两种自旋霍尔角大小相等、方向相反的重金属非磁材料，构建自旋太赫兹菲涅尔波带片，使得产生的两个以上频段的自旋太赫兹波汇聚到同一点，太赫兹产生效率高，同时提升自旋太赫兹发射器的集成度。

本发明授权一种自聚焦自旋太赫兹发射器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种消色散自聚焦自旋太赫兹发射器，用于自旋太赫兹波产生及聚焦准直，以及消色散，使得产生的两个以上频段的自旋太赫兹波汇聚到同一点，包括玻璃衬底（101）、自旋太赫兹薄膜、磁铁对（105），其特征在于： 所述自旋太赫兹薄膜由铁磁材料（102）和重金属非磁材料（103）、重金属非磁材料（104）组成，其中铁磁材料（102）设置在玻璃衬底（101）的正面，重金属非磁材料（103）、重金属非磁材料（104）设置在铁磁材料（102）之上； 所述磁铁对（105）固定于衬底（101）两面，其相对两面的磁极相反； 所述重金属非磁材料（103）、重金属非磁材料（104）自旋霍尔角大小相等、方向相反； 所述重金属非磁材料（103）、重金属非磁材料（104）呈扇形环状分布交替排列，共分为2m个扇形区，m=1,2,3…,其圆心角为180°m，其中m为根据设计需要所要实现m个频段的太赫兹波聚焦于同一点，每个扇形区第n环半径为，其中d是该消色散自聚焦自旋太赫兹发射器的工作焦距，λ是该扇形区要聚焦自旋太赫兹的中心波长，其满足λ=cf,其中c为光速，f为对应太赫兹的频率。

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