台湾积体电路制造股份有限公司廖文翔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223390560U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422385497.5，技术领域涉及：H01L23/64；该实用新型封装结构是由廖文翔设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构在说明书摘要公布了：一种封装结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、磁性元件、模制材料和第三绝缘层。第一绝缘层形成在基底上，且第一导电特征形成在第一绝缘层中。第二绝缘层形成于第一绝缘层上。磁性元件设置于第二绝缘层上，且包括交替地堆叠的复数个介电层和复数个导磁层。模制材料覆盖磁性元件和导电特征，且导电通孔贯穿第二绝缘层和模制材料。第三绝缘层形成在模制材料上，且第二导电特征形成在第三绝缘层中。第一导电特征、导电通孔和第二导电特征电性连接以形成围绕磁性元件的线圈。
本实用新型封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 一第一绝缘层，形成于一基底上； 一第一导电特征，形成于该第一绝缘层中； 一第二绝缘层，形成于该第一绝缘层上； 一磁性元件，设置于该第二绝缘层上，其中该磁性元件包括复数个介电层以及复数个导磁层，且该介电层与该导磁层交替地堆叠； 一模制材料，覆盖该磁性元件和该第一导电特征； 复数个导电通孔，贯穿该第二绝缘层和该模制材料； 一第三绝缘层，形成于该模制材料上；以及 一第二导电特征，形成于该第三绝缘层中， 其中该第一导电特征、该复数个导电通孔和该第二导电特征电性连接以形成围绕该磁性元件的一线圈。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励