珠海冠宇电池股份有限公司孟雪萍获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海冠宇电池股份有限公司申请的专利一种正极片和电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411386627.5，技术领域涉及：H01M4/13；该发明授权一种正极片和电池是由孟雪萍;李振;陈秀梅设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种正极片和电池在说明书摘要公布了：本申请涉及电池领域，公开了一种正极片和电池，包括非致密的集流体、第一极耳和位于集流体表面的活性物质层；集流体存在孔隙，第一极耳沿第一方向由集流体向外侧延伸；集流体的表面包括沿第一方向分布的第一区域和第二区域，第一极耳与第一区域远离第二区域的一侧边缘连接；位于第一区域的活性物质层的厚度小于位于第二区域的活性物质层的厚度；第一区域的第一孔隙率小于第二区域的第二孔隙率，第一孔隙率与第二孔隙率的差值、位于第二区域的活性物质层的厚度满足下列关系式：5％≤Q％≤75％；0.4≤HQ≤75。集流体边缘的第一区域孔隙率小于第二区域，可以减小第二区域与第一区域上活性物质层的厚度差，进而避免析锂、电池变形，提升电池安全性。
本发明授权一种正极片和电池在权利要求书中公布了：1.一种正极片，其特征在于，包括非致密的集流体、第一极耳和位于所述集流体表面的活性物质层；所述集流体存在孔隙，所述第一极耳沿第一方向由所述集流体向外侧延伸； 所述集流体的表面包括沿所述第一方向分布的第一区域和第二区域，所述第一极耳与所述第一区域远离第二区域的一侧边缘连接；位于所述第一区域的活性物质层的厚度小于位于所述第二区域的活性物质层的厚度； 所述第一区域的第一孔隙率小于所述第二区域的第二孔隙率，所述第一孔隙率与所述第二孔隙率的差值、位于所述第二区域的所述活性物质层的厚度满足下列关系式： 5％≤Q％≤75％； 0.4≤HQ≤75； 其中，Q％＝Q2％-Q1％；Q1％为第一孔隙率，Q2％为第二孔隙率，H为位于所述第二区域的所述活性物质层的厚度以μm计的数值。
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