武汉敏芯半导体股份有限公司徐帅获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉敏芯半导体股份有限公司申请的专利半导体激光器最优老化条件的确定方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119291457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411396200.3，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权半导体激光器最优老化条件的确定方法、装置及设备是由徐帅;刘巍;刘应军设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器最优老化条件的确定方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器最优老化条件的确定方法、装置及设备，涉及光通信技术领域，可解决目前未排除由于施加驱动电流导致的芯片结温变化带来的干扰，导致半导体激光器最优老化条件的确定不准确的技术问题。包括：获取待测试半导体激光器芯片，基于待测试半导体激光器芯片的阈值电流测试不同温度下的第一波长值以及饱和光功率对应的饱和电流；将待测试半导体激光器芯片封装成组件，测试组件在预设固定环境温度下，不同驱动电流下的第二波长值；根据第一波长值、第二波长值、饱和电流与驱动电流确定预设固定环境温度下的极限老化电流；基于预设固定环境温度与极限老化电流进行老化试验，得到最优老化条件。
本发明授权半导体激光器最优老化条件的确定方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器最优老化条件的确定方法，其特征在于，所述方法包括： 获取待测试半导体激光器芯片，基于所述待测试半导体激光器芯片的阈值电流测试不同温度下的第一波长值以及饱和光功率对应的饱和电流； 将所述待测试半导体激光器芯片封装成组件，测试所述组件在预设固定环境温度下，不同驱动电流下的第二波长值； 根据所述第一波长值、所述第二波长值、所述饱和电流与所述驱动电流确定所述预设固定环境温度下的极限老化电流； 基于所述预设固定环境温度与所述极限老化电流进行老化试验，得到最优老化条件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉敏芯半导体股份有限公司，其通讯地址为：430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号F2栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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