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龙图腾网获悉西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所);兰州大学申请的专利基于磁斯格明子的纳米振荡器、振荡器阵列和振荡方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411413011.2，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权基于磁斯格明子的纳米振荡器、振荡器阵列和振荡方法是由李晓宇;张森富;郝洪源;徐状;刘慧博设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于磁斯格明子的纳米振荡器、振荡器阵列和振荡方法在说明书摘要公布了：本申请涉及纳米振荡器技术领域，尤其涉及基于磁斯格明子的纳米振荡器、振荡器阵列和振荡方法，其中，所述纳米振荡器包括第一重金属层、第一磁性层、第二重金属层、绝缘层、第三重金属层、第二磁性层和第四重金属层。根据本申请的纳米振荡器，第一磁性层中的第一斯格明子和第二磁性层中的第二斯格明子的中心位置是固定的，在直流驱动电流作用下，斯格明子的面积发生周期性振荡，从而磁性层中磁化强度在轴向Z轴上的分量发生周期性振荡，因此探测纳米振荡器微波信号的探测结构可以简化，例如探测结构的直径与磁性层的直径相同。

本发明授权基于磁斯格明子的纳米振荡器、振荡器阵列和振荡方法在权利要求书中公布了：1.基于磁斯格明子的纳米振荡器，其中，包括依次层叠设置的第一部分、绝缘层和第二部分，所述第一部分包括第一重金属层、第一磁性层和第二重金属层，所述第二部分包括第三重金属层、第二磁性层和第四重金属层， 所述第一重金属层、所述第一磁性层、所述第二重金属层、所述绝缘层、所述第三重金属层、所述第二磁性层和所述第四重金属层的形状均为圆盘形且沿轴向依次层叠设置， 所述第一磁性层的直径与所述第二磁性层的直径相等，所述第一重金属层的直径、所述第二重金属层的直径、所述第三重金属层的直径和所述第四重金属层的直径均大于或等于所述第一磁性层的直径， 所述第一重金属层、所述第一磁性层、所述第二重金属层、所述绝缘层、所述第三重金属层、所述第二磁性层和所述第四重金属层的圆心处于一条轴线上， 当所述第一磁性层中存在第一斯格明子，所述第二磁性层中存在与所述第一斯格明子相互耦合的第二斯格明子，并且所述第一部分通入面内直流电流时，所述第一斯格明子的中心位置和所述第二斯格明子的中心位置都固定不变，所述第一斯格明子的面积和所述第二斯格明子的面积发生周期性振荡。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所);兰州大学，其通讯地址为：621000 四川省绵阳市滨河北路西段268号(西南应用磁学研究所)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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