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龙图腾网获悉上海芯导电子科技股份有限公司申请的专利SGT MOS管的器件结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411442909.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权SGT MOS管的器件结构制备方法是由魏雪娇;陈敏;欧新华;袁琼;戴维设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本SGT MOS管的器件结构制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了SGTMOS管的器件结构制备方法，该方法包括：在外延层的表面和外延层的第一凹槽侧壁上依次形成第一热氧化层、隔离层和沟槽氧化层，在满足沟槽侧壁氧化层的厚度要求的基础上，对第一热氧化层的厚度进行减薄，以减少对外延层的消耗，从而提高SGT管的耐压性能。在沟槽氧化层构成的凹槽内沉积第一多晶硅层，并去除第一凹槽内的部分沟槽氧化层，由于设置了所述隔离层，因此第一多晶硅层突出部分表面的栅间氧化层可按需求厚度进行生成，从而降低了SGT管的栅源电容。沉积第二多晶硅层并对第一凹槽两侧的外延层进行第一离子注入和第二离子注入。在衬底上沉积层间介质层，完成器件结构的制备。

本发明授权SGT MOS管的器件结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SGTMOS管的器件结构制备方法，其特征在在于，用于制备SGT管的器件结构，该方法包括： S1：提供一衬底； S2：在衬底上形成外延层； S3：在所述外延层的第一区域形成第一凹槽； S4：对所述外延层的表面、所述第一凹槽的侧壁以及所述第一凹槽的底部进行热氧化处理，以在所述外延层的表面、所述第一凹槽的侧壁以及所述第一凹槽的底部生成第一热氧化层； S5：对所述外延层的表面、所述第一凹槽的侧壁以及所述第一凹槽的底部上的第一热氧化层上依次沉积隔离层和沟槽氧化层； S6：在所述第一凹槽内沉积第一多晶硅层，所述第一多晶硅层位于所述沟槽氧化层上，且所述第一多晶硅层的顶部与所述外延层的表面齐平； S7：去除所述外延层表面的所述沟槽氧化层以及所述第一凹槽内的一部分沟槽氧化层，以使得所述第一多晶硅层突出于第一凹槽内剩余的沟槽氧化层；其中，所述第一多晶硅层与其两侧的所述第一热氧化层和剩余的所述沟槽氧化层分别形成第二凹槽和第三凹槽； S8：对所述第一多晶硅层突出于所述沟槽氧化层的部分进行热氧化，以在突出于所述沟槽氧化层的所述第一多晶硅层的部分的表面生成第二热氧化层； S9：去除所述外延层表面的所述隔离层以及所述第一凹槽内的一部分隔离层； S10：在所述第二凹槽和所述第三凹槽内均沉积第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层的顶部与所述外延层的表面齐平； S11：对所述第一凹槽两侧的所述外延层进行第一离子注入，以在所述外延层的第二区域形成阱区；以及对所述阱区进行第二离子注入，以在所述阱区的第三区域形成源区； S12：在所述衬底上沉积层间介质层，所述层间介质层覆盖所述源区、所述第二多晶硅层以及所述第二热氧化层。

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