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东北大学;中国核动力研究设计院张伟获国家专利权

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龙图腾网获悉东北大学;中国核动力研究设计院申请的专利一种Mg/Al叠层材料界面辐照损伤行为分析样品的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119310114B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411445466.2,技术领域涉及:G01N23/04;该发明授权一种Mg/Al叠层材料界面辐照损伤行为分析样品的制备方法是由张伟;潘虎成;吴璐;申志鹏;毛建军;秦高梧;宁知恩;滕常青;谢东升;富童;徐锡语;辛虹阳设计研发完成,并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种Mg/Al叠层材料界面辐照损伤行为分析样品的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公布了一种MgAl叠层材料界面辐照损伤行为分析样品的制备方法,该方法步骤:采用SRIM软件分别计算不同能量Mg+在MgAl叠层材料中的入射深度,并计算特定能量入射离子的辐照损伤层深度;根据SRIM计算的结果,对离子辐照样品进行离子束切割;依次选用不同束流大小的离子束对切割后的界面样品进行减薄;通过调节电解抛光液配比、抛光温度、抛光时间、抛光电压等参数,摸索最佳的MgAl叠层材料界面样品的“速抛”工艺参数;该方法通过结合SRIM软件模拟、离子束微纳尺度加工、差异化减薄工艺和“速抛”处理等手段,能有效的完成离子辐照后MgAl叠层材料中MgAl界面透射电镜样品的制备,以实现MgAl界面辐照损伤行为分析及高性能MgAl叠层材料的快速筛选。

本发明授权一种Mg/Al叠层材料界面辐照损伤行为分析样品的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种MgAl叠层材料界面辐照损伤行为分析样品的制备方法,其包括以下步骤: 步骤一、SRIM计算:采用SRIM模拟软件计算不同能量入射离子在MgAl叠层材料中的入射深度,并计算特定能量入射离子的辐照损伤层深度; 步骤二、离子束切割:根据SRIM计算的结果,利用聚焦离子束扫描电镜(FIB)垂直于MgAl界面进行电子束和离子束的沉积,并沿辐照深度方向进行离子束切割,切割深度为SRIM计算结果的2~3倍; 步骤三、离子束减薄:依次选用不同束流大小的离子束对切割后的界面样品进行减薄,由于Al合金和Mg合金的硬度不同,减薄过程中需延长Al合金区域的减薄时间或增大离子束流,直至电子束能轻松穿透界面附近的待观察区域、界面保持完整且样品未发生明显变形为止; 步骤四、未辐照样品“速抛”工艺:参照步骤二和三中离子束切割和减薄的工艺对未辐照MgAl叠层材料界面样品进行切割和减薄,并利用电解抛光腐蚀装置对再结晶退火后的未辐照MgAl叠层材料界面样品进行“速抛”处理,以消除FIB的Ga离子束引入的离子损伤层为标准,得到MgAl叠层材料界面样品的“速抛”工艺参数; 步骤五、离子辐照样品“速抛”处理:采用再结晶退火后的未辐照MgAl叠层材料界面样品“速抛”工艺参数,对离子束减薄后的样品进行“速抛”处理,消除减薄过程中Ga离子束引入的离子损伤层; 步骤六、TEM表征:“速抛”结束后利用透射电镜观察样品的明、暗场像,如能观察到辐照缺陷且样品中无明显的离子束加工条纹和变形,则完成样品的制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东北大学;中国核动力研究设计院,其通讯地址为:110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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