武汉大学李照东获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种超薄共形PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构电极、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411446203.3，技术领域涉及：H01M4/04；该发明授权一种超薄共形PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构电极、其制备方法及应用是由李照东;李九龙;姜有全;王丽容;陈超宇;刘胜设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超薄共形PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构电极、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及镁基电池电极材料的技术领域，具体涉及一种超薄共形PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构电极、其制备方法及应用，步骤为：真空抽滤法制备碳纳米管膜集流体；常压化学气相沉积生长VSe2鳞片；在制备的一体电极表面采用EDOT单体和氧化剂反复交替脉冲喷入沉积，得到PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构一体电极。本发明的制备方法简单，可控。无额外的添加成分，因此无非活性物质的额外重量，1T相的VSe2具有金属性质，电导率可达1000Scm‑1具有很强的电子转移能力而不需要额外的导电剂。具有高导电、高比容量的特性，并通过PEDOT涂层包覆解决离子反复插脱层间引起的机械退化问题。
本发明授权一种超薄共形PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构电极、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种超薄共形PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：真空抽滤法制备碳纳米管膜集流体：将多壁碳纳米管加入溶剂中，并超声处理以获得充分分散的多壁碳纳米管悬浮液，然后进行真空抽滤得到碳纳米管膜片，干燥后得到碳纳米管膜集流体； S2：常压化学气相沉积生长VSe2鳞片：使用具有单独温度控制的两区管式炉，将Se粉至于上游温区，将VCl3粉置于上游温区与下游温区之间，将碳纳米管膜集流体置于VCl3粉下游处，在一定载气量的惰性气氛下将上游温区和下游温区分别加热至350-370℃和600-650℃并保持一定时间，随后自然冷却，最终得到直接生长在碳纳米管膜集流体表面的VSe2一体电极， S3：分子层沉积PEDOT包覆层：在步骤S2制备的一体电极表面采用EDOT单体和氧化剂反复交替脉冲喷入沉积，得到PEDOT涂层包覆的VSe2自支撑结构一体电极。
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