重庆云潼科技有限公司李俊辉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种H桥驱动电路及功率驱动电路板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223391268U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422528300.9，技术领域涉及：H02M7/5387；该实用新型一种H桥驱动电路及功率驱动电路板是由李俊辉;廖光朝;张小兵;胡绍国设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种H桥驱动电路及功率驱动电路板在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种H桥驱动电路及功率驱动电路板，涉及H桥驱动电路技术领域，该电路包括H桥电路模块、驱动模块和泄放模块；所述H桥电路模块包括PMOS管Q1、PMOS管Q2、NMOS管Q3和NMOS管Q4；所述PMOS管Q1的源极和PMOS管Q2的源极均与电源端相连，所述NMOS管Q3的源极和NMOS管Q4的源极均与接地端相连；所述PMOS管Q1的漏极、NMOS管Q3的漏极、PMOS管Q2的漏极和所述NMOS管Q4的漏极相连，且之间连接有电机；所述驱动模块包括第一驱动单元和第二驱动单元；所述泄放模块与所述H桥电路模块并联连接后与所述电机相连。本实用新型的电路结构简单，降低上下桥直通风险，降低MOS管的导通损耗，提升H桥驱动电路的可靠性。
本实用新型一种H桥驱动电路及功率驱动电路板在权利要求书中公布了：1.一种H桥驱动电路，其特征在于，包括：H桥电路模块1、驱动模块2和泄放模块3； 所述H桥电路模块1包括PMOS管Q1、PMOS管Q2、NMOS管Q3和NMOS管Q4；所述PMOS管Q1的源极和PMOS管Q2的源极均与电源端相连，所述NMOS管Q3的源极和NMOS管Q4的源极均与接地端相连；所述PMOS管Q1的漏极、NMOS管Q3的漏极、PMOS管Q2的漏极和所述NMOS管Q4的漏极相连，且之间连接有电机； 所述驱动模块2包括第一驱动单元21和第二驱动单元22，所述PMOS管Q1的栅极和NMOS管Q3的栅极相连后与所述第一驱动单元21相连，所述PMOS管Q2的栅极和NMOS管Q4的栅极相连后与所述第二驱动单元22相连； 所述泄放模块3与所述H桥电路模块1并联连接后与所述电机相连，用于为所述电机提供泄放回路。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆云潼科技有限公司，其通讯地址为：401133 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号6层608室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号