北京宇翔电子有限公司王思晴获国家专利权
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龙图腾网获悉北京宇翔电子有限公司申请的专利开关器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223390561U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422568644.2，技术领域涉及：H01L25/07；该实用新型开关器件是由王思晴;赵磊;王彩集;董超设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本开关器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种开关器件，该器件包括管壳，及设置于管壳内的MOSFET管芯和TVS管芯组；管壳包括管座、多个引出端和容纳槽；容纳槽底部设置有间隔的第一金属化区域、第二金属化区域和第三金属化区域，分别与引出端连接；MOSFET管芯贴装于第一金属化区域，漏极与第一金属化区域电连接，源极和栅极分别通过键合丝电连接第二金属化区域和第三金属化区域；TVS管芯组包括阴极相连的两个TVS管芯，其阳极分别通过键合丝电连接第二金属化区域和第三金属化区域。本申请通过管座及其中金属化区域的设计，在MOSFET的栅极和源极之间集成了两个TVS芯片，从而对功率MOSFET栅极起到良好的静电防护作用，达到提高功率MOSFET器件抗ESD能力的目的。
本实用新型开关器件在权利要求书中公布了：1.一种开关器件，其特征在于，包括管壳、MOSFET管芯100和TVS管芯组200； 所述管壳包括管座300、多个引出端以及与所述管座300密封连接的盖板，所述管座300具有容纳槽310； 所述容纳槽310底部设置有间隔的第一金属化区域321、第二金属化区域322和第三金属化区域323，分别与所述多个引出端一一对应地电连接； 所述MOSFET管芯100安装于所述第一金属化区域321，漏极与第一金属化区域321电连接，源极和栅极分别通过键合丝电连接所述第二金属化区域322和第三金属化区域323； 所述TVS管芯组200包括阴极相连的两个TVS管芯，所述两个TVS管芯的阳极分别通过键合丝电连接所述第二金属化区域322和第三金属化区域323。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京宇翔电子有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院2号楼4层416室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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