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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于极化旋转表面的宽带1位可重构透射阵列天线单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119093023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411483791.8，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于极化旋转表面的宽带1位可重构透射阵列天线单元是由姜文;林宇煊;李鑫;胡伟;高雨辰;魏昆设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于极化旋转表面的宽带1位可重构透射阵列天线单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于极化旋转超表面的宽带1位可重构透射阵列天线单元，包括顶层金属光栅、中层金属覆面、下层金属覆面和底层金属覆面；中层金属覆面包括PIN二极管、分裂圆环，金属第一偏置线和金属第二偏置线；分裂圆环由两段圆弧组成，PIN二极管有两个，连接于两段圆弧之间形成一个完整的圆，金属第一偏置线和金属第二偏置线连接于分裂圆环，分别作为直流电输入端和接地端；下层金属覆面包括金属光栅和第一金属柱，第一金属柱将金属光栅与金属第二偏置线连接；底层金属覆面包括第二金属柱和金属偏置线，第二金属柱将金属偏置线与金属第一偏置线连接。本发明具有宽带、高效率及相位可重构的优点，可用于宽频带的波束电扫描透射阵列。

本发明授权一种基于极化旋转表面的宽带1位可重构透射阵列天线单元在权利要求书中公布了：1.一种基于极化旋转超表面的宽带1位可重构透射阵列天线单元，其特征在于，包括自上而下的顶层金属光栅（1）、第一介质基板（2）、空气层（3）、中层金属覆面（4）、第二介质基板（5）、下层金属覆面（6）、第三介质基板（7）和底层金属覆面； 所述中层金属覆面（4）包括PIN二极管（41）、分裂圆环（42），金属第一偏置线（43）和金属第二偏置线（45）；所述分裂圆环（42）由两段圆弧组成，所述PIN二极管（41）有两个，连接于所述两段圆弧之间形成一个完整的圆，所述金属第一偏置线（43）和金属第二偏置线（45）连接于所述分裂圆环（42），分别作为直流电输入端和接地端； 所述下层金属覆面（6）包括金属光栅（61）和第一金属柱（62），第一金属柱（62）穿过第二介质基板（5）将金属光栅（61）与金属第二偏置线（45）连接； 所述底层金属覆面包括第二金属柱（81）和金属偏置线（82），第二金属柱（81）穿过第二介质基板（5）和第三介质基板（7）将金属偏置线（82）与金属第一偏置线（43）连接。

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