上海新昇半导体科技有限公司;上海新昇晶睿半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新昇半导体科技有限公司;上海新昇晶睿半导体科技有限公司申请的专利一种导流筒及单晶炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223386280U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422581164.X，技术领域涉及：C30B15/00；该实用新型一种导流筒及单晶炉是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导流筒及单晶炉在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种导流筒及单晶炉。导流筒包括筒体、环形底盘和通孔。筒体包括相对设置的第一端口和第二端口，环形底盘盖接于筒体的第一端口，环形底盘包括环形本体，环形本体与筒体沿同一中心轴线设置，环形本体包括一外圆周面和一内圆周面，环形底盘的内圆周面形成为内侧壁，环形底盘的外圆周面形成为外侧壁。通孔包括形成于环形底盘的内侧壁上的进气口及形成于环形底盘的外侧壁上的出气口，通孔自环形底盘的内侧壁至外侧壁的方向上贯穿环形底盘，进气口的横截面大于出气口的横截面。通过将通孔设置于导流筒内部，且进气口大于出气口，实现晶棒界面温度梯度稳定且在不改变炉压情况下改变流体流速以控制晶体氧含量。
本实用新型一种导流筒及单晶炉在权利要求书中公布了：1.一种导流筒，其特征在于，包括： 筒体，包括相对设置的第一端口和第二端口； 环形底盘，盖接于所述筒体的第一端口，所述环形底盘包括环形本体，所述环形本体与所述筒体沿同一中心轴线设置，所述环形本体包括一外圆周面和一内圆周面，所述环形底盘的内圆周面形成为内侧壁，所述环形底盘的外圆周面形成为外侧壁； 至少一个通孔，每个所述通孔包括形成于所述环形底盘的内侧壁上的进气口及形成于所述环形底盘的外侧壁上的出气口，所述通孔自所述环形底盘的内侧壁至外侧壁的方向上贯穿所述环形底盘，所述进气口的横截面大于所述出气口的横截面。
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