买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉重庆平伟实业股份有限公司申请的专利一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411522292.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管是由杨林森;周秀兰;唐玉玲;李吕强;陶霖设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，该制造方法通过离子注入的方式形成掺杂浓度存在差异的第二导电类型半导体体区，不大幅增加场效应晶体管的造成工艺和成本，因第二导电类型半导体体区的掺杂浓度存在差异，使得元胞之间的开启时间不同，避免了电流和热量的集中，加强场效应晶体管的抗热稳定性，且安全工作区增大，与具有虚拟元胞的器件相比，其导通电阻明显减小。

本发明授权一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，在所述衬底的正面生成第一导电类型半导体漂移区； 在所述第一导电类型半导体漂移区的两侧分别形成第一沟槽，并在所述第一沟槽内形成第一氧化层； 在所述第一氧化层上进行多晶硅淀积，形成屏蔽栅多晶硅电极； 在所述屏蔽栅多晶硅电极上进行热氧化生长或淀积，形成第二氧化层，其中，所述第一氧化层和第二氧化层包裹部分所述屏蔽栅多晶硅电极； 对位于所述第二氧化层上的所述第一导电类型半导体漂移区先进行热氧化生长再刻蚀形成弧面结构，在所述弧面结构进行热氧化生长，形成第三氧化层，在所述第二氧化层上进行多晶硅淀积，形成栅多晶硅电极； 在所述第一导电类型半导体漂移区背离所述衬底的一侧进行离子注入和推结，形成具有坡度的第二导电类型半导体体区； 在所述第二导电类型半导体体区背离所述第一导电类型半导体漂移区的一侧进行热氧化生长，形成第一导电类型半导体源区； 在所述栅多晶硅电极、所述第一导电类型半导体源区及所述第三氧化层上进行钝化，形成栅源间介质层； 在所述栅源间介质层背离所述第一导电类型半导体源区的一侧进行光刻，形成第二沟槽，对所述第二沟槽进行离子注入，在所述第二导电类型半导体体区内形成第二导电类型半导体欧姆接触区； 在所述栅源间介质层和所述第二导电类型半导体欧姆接触区上淀积金属，形成源极金属层； 对所述衬底的背面淀积金属，形成漏极金属层； 其中，所述第一氧化层、所述第二氧化层及所述第三氧化层构成绝缘介质层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆平伟实业股份有限公司，其通讯地址为：405200 重庆市梁平区梁平工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。