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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利高压器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525151.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权高压器件结构是由田志;陈国鹏;陈昊瑜;邵华设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压器件结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压器件结构，结构包括：衬底，栅介质层，栅介质层形成于沟槽内，且沟槽形成于衬底内；高压P阱，高压P阱形成于衬底内；第一N型扩散区，第一N型扩散区形成于栅介质层的第一侧面处的高压P阱内，并部分地延伸至栅介质层的下方；第二N型扩散区，第二N型扩散区与第一N型扩散区有间隔，形成于栅介质层的第二侧面处的高压P阱内，并部分地延伸至栅介质层的下方；漏端，漏端形成于第一N型扩散区的表层中；源端，源端形成于第二N型扩散区的表层中；栅极材料层，栅极材料层形成于栅介质层的表面，其包括第一区域、第二区域及第三区域。通过本发明解决了现有的寄生晶体管易提前开启的问题。

本发明授权高压器件结构在权利要求书中公布了：1.一种高压器件结构，其特征在于，所述结构包括： 衬底， 栅介质层，所述栅介质层形成于沟槽内，且所述沟槽形成于所述衬底内，其中，所述栅介质层的中间区域的厚度大于其边缘区域的厚度； 高压P阱，所述高压P阱形成于所述衬底内； 第一N型扩散区，所述第一N型扩散区形成于所述栅介质层的第一侧面处的所述高压P阱内，并部分地延伸至所述栅介质层的下方； 第二N型扩散区，所述第二N型扩散区与所述第一N型扩散区有间隔，形成于所述栅介质层的第二侧面处的所述高压P阱内，并部分地延伸至所述栅介质层的下方； 漏端，所述漏端形成于所述第一N型扩散区的表层中； 源端，所述源端形成于所述第二N型扩散区的表层中； 栅极材料层，所述栅极材料层形成于所述栅介质层的表面，其包括第一区域、第二区域及第三区域，其中，所述第二区域连接所述第一区域与所述第三区域，三者呈工字形，所述第二区域位于所述栅介质层厚度较大的中间区域，其长度小于所述第一N型扩散区与所述第二N型扩散区之间的间隔，其宽度小于所述源端或漏端的宽度； P型扩散区，所述P型扩散区形成于所述高压P阱内，其呈环形，并环绕于所述第一N型扩散区及所述第二N型扩散区的外围； 其中，所述栅极材料层的有效区域的宽度与所述源端及所述漏端的宽度相同； 在长度方向上，所述第一区域的边沿与所述第一N型扩散区的第一边沿之间的距离a1大于所述第一N型扩散区的第二边沿与所述P型扩散区之间的距离b1，其中，所述第一区域的边沿为靠近所述第二区域侧的边沿。

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