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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种实时监测功率模块封装老化模式的方法及相关装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119511015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411532376.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种实时监测功率模块封装老化模式的方法及相关装置是由王来利;王宇辰;王见鹏设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种实时监测功率模块封装老化模式的方法及相关装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种实时监测功率模块封装老化模式的方法及相关装置，属于电力电子器件技术领域。本方法根据功率模块的结构，建立不同封装老化模式下对应的热网络模型，找到不同封装老化模式对应的频率分离点；设置测试频率，采集功率模块的导通压降和逆变电路负载电流；根据键合线脱落，焊层疲劳，散热系统老化等不同老化模式会导致导通压降滞回曲线偏移或旋转，分析导通压降滞回曲线的差异性，确定功率模块的封装老化模式。采用本方法能够实现实时监测功率模块的封装老化模式，有效区分老化原因，进而准确采取维护措施，避免严重故障发生，有助于降低维护成本；同时通过及时监测和修复封装老化问题，可以提升整个系统的可靠性和稳定性。

本发明授权一种实时监测功率模块封装老化模式的方法及相关装置在权利要求书中公布了：1.一种实时监测功率模块封装老化模式的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、获取功率模块的结构，建立不同封装老化模式下对应的热网络模型，分别绘制热网络模型的幅频特性曲线，得到不同封装老化模式对应的频率分离点； S2、根据频率分离点的不同，设置功率模块的测试频率，采集一个周期内功率模块的导通压降和逆变电路负载电流； S3、以逆变电路负载电流I为横轴，导通压降VCEsat为纵轴，绘制健康模块的导通压降滞回曲线HC_VCEsat和老化模块的导通压降滞回曲线HC_VCEsat *，分析上述导通压降滞回曲线的差异性，确定功率模块封装老化模式，具体包括： S31、基于导通压降滞回曲线HC_VCEsat和HC_VCEsat *，计算键合线脱落引入的电阻增量△RCE，当键合线脱落引入的电阻增量△RCE≤1％时，则键合线未发生老化；当键合线脱落引入的电阻增量△RCE1％时，则功率模块封装老化模式为键合线老化； S32、通过减去ΔRCE所引起的压降修正老化模块的导通压降滞回曲线HC_VCEsat *，得到修正后的导通压降滞回曲线HC_CEsat **，基于此，得到结温上升阶段的点PL_i与横纵坐标围成的闭合区域面积SL和结温下降阶段的点PH_i与横纵坐标围成的闭合区域面积SH，计算得到修正后老化模块导通压降滞回曲线HC_VCEsat **闭合区域面积SA和SH与SL的平均值SB；其中，SA＝SH-SL， S33、计算健康模块的滞回曲线HC_VCEsat闭合区域面积SA和SH与SL的平均值SB，基于修正后的SB和健康模块的SB，计算变化率△SB，当|△SB|＜10％，则认为功率模块未发生老化，当|△SB|≥10％，基于修正后的SA和健康模块的SA，计算变化率△SA，当△SA≤15％时，则功率模块封装老化模式为散热系统老化；当△SA＞15％时，则功率模块封装老化模式为芯片焊层老化。

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