台湾积体电路制造股份有限公司林祐弘获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构和半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223391595U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422660531.5，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体结构和半导体装置是由林祐弘;林唯新;龚晖轩;黄以理设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和半导体装置在说明书摘要公布了：本揭示内容描述了一种半导体装置，具有优化的鳍片间距，用于基本上均匀的源极漏极结构。半导体装置包括在基板上的多重鳍片结构。多重鳍片结构在一交替的配置中具有第一间距和第二间距，并且第二间距不同于第一间距。半导体装置还包括在多重鳍片结构上的一栅极结构、以及在邻近于此栅极结构并与所述多重鳍片结构接触的一源极漏极SD结构。
本实用新型半导体结构和半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 一第一鳍片结构、一第二鳍片结构、和一第三鳍片结构，在一基板上，其中介于该第一鳍片结构和该第二鳍片结构之间的一第一间距不同于介于该第二鳍片结构和该第三鳍片结构之间的一第二间距； 一栅极结构，在该第一鳍片结构、该第二鳍片结构、和该第三鳍片结构上；以及 一源极漏极结构，邻近于该栅极结构并且在该第一鳍片结构、该第二鳍片结构和该第三鳍片结构上。
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