东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司张灿获国家专利权
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龙图腾网获悉东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司申请的专利带电子粒子束成像装置及晶圆缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119470526B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411562163.9，技术领域涉及：G01N23/2255；该发明授权带电子粒子束成像装置及晶圆缺陷检测方法是由张灿;毕增帅;王纪钰;胡舒航设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本带电子粒子束成像装置及晶圆缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种带电子粒子束成像装置及晶圆缺陷检测方法，带电子粒子束成像装置包括发射单元、第一会聚单元、第二会聚单元和两个偏转单元，发射单元用于发射粒子束；第一会聚单元设置于发射单元的下游，第一会聚单元用于聚集粒子束以形成聚集束；第二会聚单元设置于第一会聚单元的下游，用于将聚集束形成精细束斑；两个偏转单元依次设置于第一会聚单元的下游，每个偏转单元用于更改粒子移动方向，每个偏转单元包括响应于第一激励源的第一偏转器和响应于第二激励源的第二偏转器；其中，第一激励源与第二激励源的开启状态相反，以使第一会聚单元射出的聚集束经过两个第一偏转器或两个第二偏转器的作用得到相对于样品待测表面倾斜的扫描束。
本发明授权带电子粒子束成像装置及晶圆缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.一种带电子粒子束成像装置，其特征在于，包括： 发射单元，用于发射粒子束； 第一会聚单元，设置于所述发射单元的下游，所述第一会聚单元用于聚集粒子束以形成聚集束； 第二会聚单元，设置于所述第一会聚单元的下游，用于将聚集束形成精细束斑； 两个偏转单元，依次设置于所述第一会聚单元的下游，每个所述偏转单元用于更改粒子移动方向，每个所述偏转单元包括响应于第一激励源的第一偏转器和响应于第二激励源的第二偏转器； 其中，所述第一激励源与所述第二激励源的开启状态相反，以使第一会聚单元射出的聚集束经过两个所述第一偏转器或两个所述第二偏转器的作用得到相对于样品待测表面倾斜的扫描束。
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