上海磐启微电子有限公司王磊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海磐启微电子有限公司申请的专利适用于射频端口的静电保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223391101U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422768232.3，技术领域涉及：H02H9/04；该实用新型适用于射频端口的静电保护电路是由王磊;杨成;梅海华设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本适用于射频端口的静电保护电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种适用于射频端口的静电保护电路，包括，电源钳位电路，包括一电源电压端和接地端；一级静电保护支路，包括第一二极管和第二二极管，第一二极管的阳极连接射频端口，阴极连接电源电压端，第二二极管的阳极连接接地端，阴极连接射频端口；三级静电保护支路，包括第一PMOS管和第一NMOS管，第一PMOS管的源极连接电源电压端，漏极连接被保护器件，第一NMOS管的漏极连接被保护器件，源极连接接地端VSS；二级静电保护支路，连接于射频端口和被保护器件之间。本实用新型提供对多种防护标准和等级的可靠ESD防护，避免现有技术采用片外元器件增加成本，或者采用镇流电阻影响射频端口性能等问题。
本实用新型适用于射频端口的静电保护电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于射频端口的静电保护电路，其特征在于，包括 电源钳位电路，包括一电源电压端和接地端； 一级静电保护支路，包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的阳极连接射频端口，所述第一二极管的阴极连接所述电源电压端，所述第二二极管的阳极连接接地端，所述第二二极管的阴极连接所述射频端口； 三级静电保护支路，包括第一PMOS管和第一NMOS管，所述第一PMOS管的源极连接所述电源电压端，所述第一PMOS管的漏极连接被保护器件，所述第一NMOS管的漏极连接被保护器件，所述第一NMOS管的源极连接所述接地端； 二级静电保护支路，连接于所述射频端口和所述被保护器件之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海磐启微电子有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路666号、银冬路122号4幢3层01-02、04-05单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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