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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利1.5T SONOS存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603967B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411622737.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权1.5T SONOS存储器的制造方法是由曾翔;刘政红;陈昊瑜;黄冠群;齐瑞生设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本1.5T SONOS存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种1.5TSONOS存储器的制造方法，包括：在底层结构上沉积选择栅材料层。形成硬质掩膜层。进行自对准刻蚀在控制栅结构的侧面形成选择栅，包括分步骤：进行无选择性的第一次BT刻蚀，将表面的硬质掩膜层去除并侧面形成侧墙保护结构。进行对选择栅材料层进行选择性刻蚀的第一次SL刻蚀，使暴露的选择栅材料层的顶部表面降低并增加选择栅材料层的顶部表面的平坦性。进行无选择性的第二次BT刻蚀，将选择栅材料层平坦的顶部表面下推并去除侧墙保护结构。进行对选择栅材料层进行选择性刻蚀的第二次SL刻蚀以形成选择栅并调节选择栅的高度和形貌。本发明能提升侧墙工艺形成的选择栅的侧面垂直度和尺寸的均一性，能提高工艺窗口，减少器件的尺寸。

本发明授权1.5T SONOS存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种1.5TSONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 在底层结构上沉积选择栅材料层，所述底层结构上形成有控制栅结构，所述选择栅材料层覆盖在所述控制栅结构的顶部表面、侧面和所述控制栅结构外的半导体衬底顶部表面上；所述选择栅材料层和所述控制栅结构的侧面之间间隔有第一侧墙，所述选择栅材料层和所述半导体衬底的顶部表面之间隔离有栅介质层； 在所述选择栅材料层的顶部表面上形成硬质掩膜层； 进行自对准刻蚀在所述控制栅结构的侧面形成选择栅，所述自对准刻蚀包括如下分步骤： 进行第一次起始刻蚀，所述第一次起始刻蚀为无选择性刻蚀，所述第一次起始刻蚀将所述控制栅结构的顶部表面之上的所述硬质掩膜层去除，所述控制栅结构侧面的所述硬质掩膜层保留并形成侧墙保护结构，位于所述侧墙保护结构外的所述控制栅结构外部的所述硬质掩膜层被去除； 进行第一次软刻蚀，所述第一次软刻蚀为对所述选择栅材料层进行选择性刻蚀，所述第一次软刻蚀对所述选择栅材料层的刻蚀厚度小于等于所述控制栅结构顶部表面上的所述选择栅材料层的厚度，以将所述控制栅结构顶部表面上的所述选择栅材料层部分或全部去除，以使暴露的所述选择栅材料层的顶部表面降低并增加所述选择栅材料层的顶部表面的平坦性； 进行第二次起始刻蚀，所述第二次起始刻蚀为无选择性刻蚀并将所述选择栅材料层的顶部表面在已平坦的基础上下推用于保证所述选择栅的侧面垂直形貌，所述第二次起始刻蚀完成后所述侧墙保护结构被去除； 进行第二次软刻蚀，所述第二次软刻蚀为对所述选择栅材料层进行选择性刻蚀以在所述控制栅结构的侧面形成所述选择栅，所述第二次软刻蚀保证将所述选择栅外部台阶表面残留的所述选择栅材料层都去除以及将所述选择栅的高度和形貌修正到满足要求，使所述选择栅的高度低于所述控制栅的高度以及所述选择栅的形貌为侧壁垂直形貌。

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