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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119471281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411611879.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法是由潘世杰;冯士维;鲁晓庄;王雅宁;张心雨设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法，属于半导体器件可靠性领域。包括：给定陷阱填充阶段的栅极填充电压区间；给定陷阱测试阶段的测试电压条件；给定陷阱测试阶段瞬态电流响应的测试时间范围及精度；给定陷阱能级及时间常数的测试范围。对CNTFET施加一定栅极填充电压以填充空穴陷阱，采集栅极和漏极测试电压下CNTFET漏源两端的瞬态电流响应曲线，并通过贝叶斯反卷积建立空穴陷阱的时间常数谱，提取CNTFET内部陷阱的时间常数参数。在多组温度条件下重复测试并获取陷阱时间常数的变化，利用阿伦尼乌斯公式计算CNTFET陷阱能级参数。本专利涉及方法操作简单便捷，可适用于多种来源CNTFET器件，可实现CNTFET陷阱参数的准确、无损、原位表征。

本发明授权一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法在权利要求书中公布了：1.一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法，其特征在于： 步骤一：将高低温探针台内恒温平台温度设为T；随后，将被测CNTFET器件放置于高低温探针台内的恒温平台上，通过三个探针将CNTFET器件与半导体参数仪B1500对应接口相连接，完成被测器件的陷阱测试； 步骤二：在不加电的情况下将被测CNTFET器件放置于温度为T的恒温平台上并保持静置td分钟，被测CNTFET器件处于不受电学应力影响的初始状态，同时被测CNTFET器件温度与已设定的恒温平台温度T保持一致； 步骤三：设置半导体参数仪B1500的测试条件；在陷阱填充阶段，对被测CNTFET器件施加栅极填充电压VGF以实现载流子的填充，漏极电压为0V，同时施加栅极填充电压VGF的时间为tf；在陷阱释放阶段，对被测CNTFET器件施加栅极测试电压VGM和漏极测试电压VDM；按照对数形式获取器件漏源电流IDS随时间的变化情况直至漏源电流稳定不变，测试时间即为tm，相应曲线即为陷阱释放过程对应的响应曲线； 步骤四：基于已获取的瞬态电流响应曲线，利用贝叶斯反卷积技术建立时间常数谱并识别陷阱峰值；设置贝叶斯反卷积拟合阶数A和迭代次数B完成贝叶斯反卷积并构建时间常数谱；在已设置的VGF和VDF测试条件下识别出陷阱峰，其中每个峰值对应横坐标即为CNTFET陷阱的时间常数参数，峰值对应纵坐标即为CNTFET陷阱的相对幅值参数； 步骤五：判断此时恒温平台温度T是否大于等于70℃；如果恒温平台温度T小于70℃，则将平台温度升高10℃并重复步骤二至步骤四的操作，直至平台温度大于等于70℃；如果恒温平台温度T已经大于等于70℃，则停止瞬态曲线测试，总结已获得的不同温度下陷阱的时间常数；瞬态曲线测试停止后，获得N个温度条件下对应的瞬态曲线； 步骤六：基于步骤一至步骤五，获取了以10℃为间隔温度条件下CNTFET的陷阱参数；基于N个温度条件下的CNTFET陷阱时间常数，利用阿伦尼乌斯公式绘制阿伦尼乌斯图；阿伦尼乌斯图横坐标为lnT2t，其中T为温度条件，t为陷阱时间常数；阿伦尼乌斯图纵坐标为1kT，其中k为波尔兹曼常数；对阿伦尼乌斯图中数据进行线性拟合，其斜率即为陷阱能级Ea。

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