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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119471279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411611877.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法是由潘世杰;冯士维;冯子璇;周胤奇;李海冰设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法，涉及功率半导体器件陷阱测试及可靠性评估领域。包括：将被测器件与瞬态阈值电压测试电路相连接；在陷阱填充过程中对器件施加负栅压，在陷阱测试过程中对器件源漏段施加测试电流变获取源漏电压变化即为阈值电压变化量；同时利用结构函数发处理得到每个陷阱导致的阈值电压变化量，通过计算分别获取每个陷阱的陷阱密度。本发明通过电路设计实现异质半导体器件瞬态阈值电压测试及陷阱密度计算，该方法可应用于不同来源的异质半导体器件陷阱密度测试，具有较好的普适性。

本发明授权一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法，其特征在于： 1）将被测异质半导体器件与栅极电阻Rg、栅极驱动、栅极电压源和漏极电流源相连接；其中，栅极驱动通过栅极电阻Rg与被测异质半导体器件相连且为被测器件提供栅极驱动；栅极电阻Rg用于限制栅极电流以保护电路；栅极电压源与栅极驱动和被测异质半导体器件相连并为被测异质半导体器件提供栅源电压；漏极电流源与被测器件、栅极驱动和栅极电压源相连接并为被测异质半导体器件提供源漏电流； 2）在陷阱填充过程中，通过栅极电压源提供栅极填充电压Vgf，且填充时间为tf；填充时间tf结束后，漏极电流源提供测试电流Isense，且测试时间为tm；测试电流Isense流经器件源漏两端，实时采集器件瞬态源漏电压变化Vsd即为被测异质半导体器件阈值电压变化ΔVth； 3）基于瞬态阈值电压变化ΔVth，利用结构函数法构建时间常数谱；从瞬态阈值电压变化中识别出陷阱峰值个数N，表明在Vgf条件下被测异质半导体器件内部有N个空穴陷阱；按照时间常数ti从小大小将N个空穴陷阱峰值依次命名为H1，H2，…HN，其中1≤i≤N；其对应空穴陷阱的时间常数从时间常数谱横轴读取，分别为t1，t2，…tN； 4）将时间常数谱中数据纵轴数值相加后与横轴交换并进行微分计算构建微分幅值谱，其中N个峰值对应横坐标之差分别为N个陷阱H1，H2，…HN所导致的阈值电压变化量ΔVthi；以|ΔVthi|绝对值形式表示Vgf条件下第i个陷阱Hi所导致的具体阈值电压变化结果； 5）根据Vgf电压下N个陷阱导致阈值电压变化量|ΔVthi|分别计算每个陷阱密度nti； 基于|ΔVthi|直接计算每个陷阱密度nti=2ε|ΔVthi|qd，ε为GaN介电常数，q为电荷量，d为耗尽层厚度。

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