京东方科技集团股份有限公司卢美荣获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体器件、发光基板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223391616U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422819341.3，技术领域涉及：H10H20/831；该实用新型一种半导体器件、发光基板是由卢美荣;郭凯;刘伟星;彭锦涛;张春芳;滕万鹏;徐智强;王欢欢;闫雨薇设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件、发光基板在说明书摘要公布了：一种半导体器件、发光基板。半导体器件包括衬底、第一电极组件和第二电极组件，以及发光结构层，第一电极组件或第二电极组件设置在衬底上，第一电极组件和第二电极组件在垂直于所述衬底方向上层叠设置，第一电极组件和或第二电极组件包括第一电极和第二电极。发光结构层设置在第一电极组件和第二电极组件之间。第一电极与发光结构层接触，第二电极绝缘设置在发光结构层上且沿发光结构层的周向边沿延伸。
本实用新型一种半导体器件、发光基板在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 第一电极组件和第二电极组件，所述第一电极组件或所述第二电极组件设置在所述衬底上，所述第一电极组件和所述第二电极组件在垂直于所述衬底方向上层叠设置，所述第一电极组件和或所述第二电极组件包括第一电极和第二电极； 发光结构层，设置在所述第一电极组件和所述第二电极组件之间； 所述第一电极与所述发光结构层接触，所述第二电极绝缘设置在所述发光结构层上且沿所述发光结构层的周向边沿延伸。
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