珠海镓未来科技有限公司郭超凡获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海镓未来科技有限公司申请的专利一种具有多层场板的氮化镓功率器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223391593U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422797137.6，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种具有多层场板的氮化镓功率器件是由郭超凡;张铭宏;吴毅锋;王中党设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有多层场板的氮化镓功率器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种具有多层场板的氮化镓功率器件，包括氮化镓衬底、第一介质层、第二介质层、下层介质层、上层介质层及栅极金属。下层介质层的上表面设置有下级场板区域和上层介质区域；下级场板区域处设置有下级场板；上层介质层与下层介质层直接连接，且位于上层介质区域处。在同等刻蚀条件下，下层介质层的刻蚀速度小于上层介质层的刻蚀速度；上层介质区域之外的上层介质层被完全刻蚀掉后，下层介质层仅少部分被刻蚀掉，上层介质层与下层介质层可以直接连接，从而无需在两层介质层之间设置刻蚀停止层，减少制作流程，节省了制备时间；同时可以避免两层介质层之间产生缝隙，进而减少因刻蚀损伤导致的电场局部集中效应，提高器件的可靠性。
本实用新型一种具有多层场板的氮化镓功率器件在权利要求书中公布了：1.一种具有多层场板的氮化镓功率器件，其特征在于，包括： 氮化镓衬底； 第一介质层，设置在所述氮化镓衬底上；所述第一介质层包括源极欧姆接触孔以及漏极欧姆接触孔，所述源极欧姆接触孔中设置有源极欧姆电极，所述漏极欧姆接触孔中设置有漏极欧姆电极； 第二介质层，设置在所述第一介质层、源极欧姆电极及漏极欧姆电极上； 下层介质层，设置在所述第二介质层上；所述下层介质层与所述第二介质层之间设置有一级场板；所述下层介质层的上表面设置有下级场板区域和上层介质区域；所述下层介质层设置有栅极设置通孔；所述下级场板区域处设置有下级场板； 上层介质层，与所述下层介质层直接连接，且位于所述上层介质区域处；在同等刻蚀条件下，所述下层介质层的刻蚀速度小于所述上层介质层的刻蚀速度；所述上层介质层上设置有上级场板；以及， 栅极金属，设置在所述栅极设置通孔内，其顶部延伸至所述下层介质层之上。
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