北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)化称意获国家专利权
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龙图腾网获悉北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)申请的专利一种金刚石基微波体衰减材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119553234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411684783.X，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种金刚石基微波体衰减材料及其制备方法和应用是由化称意;蔡军;潘攀;李莉莉;冯进军设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金刚石基微波体衰减材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种金刚石基微波体衰减材料及其制备方法和应用。所述方法包括：采用射频磁控溅射方法在CVD金刚石生长面上镀制抗氧化膜；将CVD金刚石置于真空气氛炉中，持续通入氧气和氩气的混合气体，在780‑880℃的温度变化范围内利用多次升降温循环氧化过程，实现对CVD金刚石形核面的晶界氧化，得到由CVD金刚石形核面向生长面逐步扩展生长的无序微型沟槽；将氧化后的CVD金刚石浸渍到葡萄糖溶液中，然后再转至真空气氛炉中碳化，利用机械研磨法去除抗氧化膜，得到金刚石基微波体衰减材料。利用该方法制备的金刚石基微波体衰减材料可有效解决传统工艺中石墨衰减相在金刚石介质相中的体分布差以及金刚石基微波体衰减材料介电性能一致性差等问题。
本发明授权一种金刚石基微波体衰减材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种金刚石基微波体衰减材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1）采用射频磁控溅射方法在CVD金刚石生长面上镀制抗氧化膜； 2）将镀制有抗氧化膜的CVD金刚石置于真空气氛炉中，持续通入氧气和氩气的混合气体，在780-880℃的温度变化范围内利用多次升降温循环氧化过程，实现对CVD金刚石形核面的晶界氧化，得到由CVD金刚石形核面向生长面逐步扩展生长的无序微型沟槽； 3）将氧化后的CVD金刚石浸渍到葡萄糖溶液中，然后再转至真空气氛炉中碳化，利用机械研磨法去除抗氧化膜，得到金刚石晶粒负载石墨的金刚石基微波体衰减材料； 经过射频磁控溅射后得到的抗氧化膜材质为SiO2、Al2O3或Y2O3中的一种或多种，其厚度为500-800nm。
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