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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119651145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411745579.4，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线是由吴倩楠;赵越;李孟委;马斌溢设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线在说明书摘要公布了：本发明涉及微波天线技术领域，特别涉及一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线，包括：上介质层：所述上介质层的上、下表面分别贴合有金属层；下介质层：所述下介质层的上、下表面分别贴合有金属层；所述上介质层的下表面金属层与下介质层的上表面金属层贴合；所述上介质层和下介质层可拆卸连接；空气腔：开设在上介质层和下介质层之间；若干输入端口：所述输入端口的接触端设置在上介质层的上金属表面，且输入端口的接入端延伸出下介质层的下金属面；若干耦合缝隙：开设在所述上介质层的下表面金属层和下介质层的上表面金属层上；所述辐射单元包括环谐振器，能够减少电压驻波比的波动影响，提升信号传输的稳定性。

本发明授权一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线在权利要求书中公布了：1.一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线，其特征在于，包括： 上介质层：所述上介质层的上、下表面分别贴合有金属层； 下介质层：所述下介质层的上、下表面分别贴合有金属层；所述上介质层的下表面金属层与下介质层的上表面金属层贴合；所述上介质层和下介质层可拆卸连接； 空气腔：开设在上介质层和下介质层之间； 若干输入端口：所述输入端口的接触端设置在上介质层的上金属表面，且输入端口的接入端延伸出下介质层的下金属面； 若干耦合缝隙：开设在所述上介质层的下表面金属层和下介质层的上表面金属层上； 所述上介质层的上表面金属层为串联磁流天线阵列，天线阵列的辐射单元采用馈电网络相连接；所述辐射单元包括环谐振器，环谐振器的馈电结构耦合在上介质层的上表面金属层和上介质层的下表面金属层，上介质层的上、下表面金属层间通过短路通孔来进行连接； 所述耦合缝隙位于串联磁流天线阵下方、且位于空气腔中心轴线上；所述耦合缝隙与天线阵列的辐射单元相对应； 同轴馈电探针：与输入端口配合，用于天线的信号传输。

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