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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于注入锁定和有源电感技术的正交二分频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727707B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790949.6，技术领域涉及：H03K23/00；该发明授权一种基于注入锁定和有源电感技术的正交二分频器是由郭子昱;孙昊然;虞小鹏;徐志伟设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于注入锁定和有源电感技术的正交二分频器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于注入锁定和有源电感技术的正交二分频器，属于二分频器领域。该正交二分频器由两个无尾电流源的有源电感负载的D锁存器级联而成。本发明对电流模逻辑的二分频器结构做出改进，引入注入锁定技术，去掉尾电流源，并用有源电感作为负载，组成正交注入锁定分频器。本发明在降低功耗的同时，解决了注入锁定分频器工作频率范围受限的问题。

本发明授权一种基于注入锁定和有源电感技术的正交二分频器在权利要求书中公布了：1.一种基于注入锁定和有源电感技术的正交二分频器，其特征在于，由两个无尾电流源的有源电感负载的D锁存器级联而成； 两个D锁存器的结构相同，每个D锁存器由第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一电阻和第二电阻组成； 第一电阻和第二电阻的一端均连接电源，第一电阻的另一端连接第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极，第二电阻的另一端连接第二NMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极； 第一NMOS管的源极作为第一接线端，并连接第三NMOS管的源极、第四NMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极和第六NMOS管的栅极； 第二NMOS管的源极作为第二接线端，并连接第三NMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极、第七NMOS管的漏极和第五NMOS管的栅极； 第四NMOS管的栅极作为第三接线端，第七NMOS管的栅极作为第四接线端，第四NMOS管的源极、第五NMOS管的源极、第六NMOS管的源极和第七NMOS管的源极均接地； 第一个D锁存器的第一接线端通过第一连接线连接第二个D锁存器的第三接线端，第一个D锁存器的第二接线端通过第二连接线连接第二个D锁存器的第四接线端，第一个D锁存器的第三接线端通过第三连接线连接第二个D锁存器的第二接线端，第一个D锁存器的第四接线端通过第四连接线连接第二个D锁存器的第一接线端； 两个D锁存器中第三NMOS管的栅极分别用于输入一对本振源差分信号。

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