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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利存储结构的失效分析方法、存储结构的失效分析装置、计算机可读存储介质以及终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411795879.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权存储结构的失效分析方法、存储结构的失效分析装置、计算机可读存储介质以及终端是由姚阳光;崔云龙;钟佳玲;黎美玲设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储结构的失效分析方法、存储结构的失效分析装置、计算机可读存储介质以及终端在说明书摘要公布了：一种存储结构的失效分析方法、存储结构的失效分析装置、计算机可读存储介质以及终端，其中方法包括：获取测试结构数据图；将多个测试结构数据图逐一与待分析晶圆的良率数据图比对，判断测试结构数据图相对应的测试结构是否存在异常；判断测试结构数据图相对应的测试结构存在异常时，获得测试结构中层级结构的晶圆测试数据；获取层级结构数据图；将层级结构数据图逐一与良率数据图比对；当层级结构数据图所对应的层级结构存在异常时，获取存在异常的该种层级结构所涉及的缺陷扫描数据以分析良率数据图中失效位置的失效原因。该方法减轻了对分析人员的经验依赖程度，减少了数据处理的繁冗劳动，更快速定位存储结构的失效位置。

本发明授权存储结构的失效分析方法、存储结构的失效分析装置、计算机可读存储介质以及终端在权利要求书中公布了：1.一种存储结构的失效分析方法，其特征在于，包括： 获取一待分析晶圆中每个芯片的多种测试结构、每种测试结构的晶圆测试数据以及每种测试结构中各层级结构的晶圆测试数据； 对一种测试结构的晶圆测试数据进行显示处理，获取测试结构数据图，所述测试结构数据图与一种测试结构相对应； 将多个测试结构数据图逐一与所述待分析晶圆的良率数据图比对，判断所述测试结构数据图相对应的测试结构是否存在异常； 判断所述测试结构数据图相对应的测试结构存在异常时，根据存在异常的测试结构的种类，获得所述测试结构中层级结构的晶圆测试数据； 对所述测试结构中层级结构的晶圆测试数据进行显示处理，获取层级结构数据图，所述层级结构数据图与所述测试结构中一种层级结构相对应； 将所述层级结构数据图逐一与所述良率数据图比对，判断所述层级结构数据图所对应的层级结构是否存在异常； 当所述层级结构数据图所对应的层级结构存在异常时，获取存在异常的该种层级结构所涉及的缺陷扫描数据以分析良率数据图中失效位置的失效原因。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。