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龙图腾网获悉睿电(广东)生物科技有限公司申请的专利一种Au-ZnIn₂S₄/MoS₂光电化学生物传感器的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119688805B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411862726.6，技术领域涉及：G01N27/327；该发明授权一种Au-ZnIn₂S₄/MoS₂光电化学生物传感器的制备方法及应用是由王瑞玲;王硕硕;张玉军设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Au-ZnIn₂S₄/MoS₂光电化学生物传感器的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Au‑ZnIn2S4MoS2光电化学生物传感器的制备方法及应用；包括：步骤1，ZnIn2S4薄膜的制备；步骤2，ZnIn2S4MoS2复合薄膜的制备；步骤3，Au‑ZnIn2S4MoS2光电化学生物传感器的制备。本发明还涉及Au‑ZnIn2S4MoS2光电化学生物传感器的应用。本发明高效地把MoS2层与ZnIn2S4薄膜结合，形成了ZnIn2S4MoS2异质结，有效抑制了光生电子与空穴的复合；其中，MoS2层与ZnIn2S4薄膜之间所产生的范德华力有助于吸附五羟色胺的适配体，进而提高了传感器的灵敏度和特异性；本发明MoS2层与ZnIn2S4薄膜结合过程中，MoS2层提高了ZnIn2S4薄膜的亲水性，从而实现了生物传感器对五羟色胺的检测。

本发明授权一种Au-ZnIn₂S₄/MoS₂光电化学生物传感器的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种Au-ZnIn2S4MoS2光电化学生物传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，ZnIn2S4薄膜的制备 （1.1）将3.3cm×5cm的FTO进行清洗，纯水中浸泡，用N2吹扫干净，移至反应釜中； （1.2）将ZnCl2、InCl3·3H2O和CH4N2S溶解在纯水与无水乙醇的混合溶液中，搅拌均匀得反应前驱液，将反应前驱液移至装有FTO的反应釜中，在恒温鼓风干燥箱中水热生长； （1.3）待反应结束后，快速降温将反应釜降至室温后，将样片取出； （1.4）清洗样片，移至恒温鼓风干燥箱中干燥，得到ZnIn2S4薄膜； 步骤2，ZnIn2S4MoS2复合薄膜的制备 （2.1）移0.0065g四硫代钼酸铵于1mLN,N-二甲基甲酰胺中，超声30分钟，得均匀溶液A； （2.2）将ZnIn2S4薄膜切割成3.3cm×3.3cm大小样片，用N2吹扫干净； （2.3）通过旋涂技术将溶液A均匀附着在ZnIn2S4薄膜上，室温下静置干燥； （2.4）将样片放置在等离子体增强化学气相沉积管式炉中，低压和高纯Ar气氛下，10℃min升至400℃保温1小时，纯水清洗，自然干燥，得ZnIn2S4MoS2复合薄膜； 步骤3，Au-ZnIn2S4MoS2光电化学生物传感器的制备 （3.1）采用高真空蒸发镀膜技术，在ZnIn2S4MoS2复合薄膜的表面蒸发镀Au金属膜，厚度为0.2nm，并清洗样片； （3.2）在等离子体增强化学气相沉积管式炉中，低压和高纯Ar气氛下400℃退火，得Au-ZnIn2S4MoS2光阳极； （3.3）将Au-ZnIn2S4MoS2光阳极切割成1cm×0.5cm大小样片，用N2吹扫干净，将适配体探针涂覆于Au-ZnIn2S4MoS2光阳极的表面，孵化；其中，适配体探针为五羟色胺的DNA适配体探针； （3.4）用纯水冲洗薄膜表面，自然干燥，得到Au-ZnIn2S4MoS2光电化学生物传感器。

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