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龙图腾网获悉睿创微电子(烟台)有限公司申请的专利一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119349497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411884174.9，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器是由刘天德;史杰;董珊设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及红外成像领域，公开了一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器，包括：像元阵列和封帽结构，像元阵列包括多个像元，封帽结构位于像元的上方并对像元真空封装；封帽结构包括封帽支撑层、微偏振片结构层、红外窗口层和通道；封帽支撑层与像元连接，微偏振片结构层和红外窗口层依次层叠在位于封帽支撑层的上表面；通道贯穿微偏振片结构层和封帽支撑层，红外窗口层填满通道；微偏振片结构层具有纳米线栅结构。封帽结构对像元进行真空封装，即本发明采用像元级封装，避免繁杂和昂贵的常规真空封装流程，提升封装效率，降低封装成本，可以降低探测器的体积和重量，使得器件具有小型化和轻量化的特点。

本发明授权一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器在权利要求书中公布了：1.一种非制冷红外偏振探测器的像元结构，其特征在于，包括： 像元阵列和封帽结构，所述像元阵列包括多个像元，所述封帽结构位于所述像元的上方并对所述像元真空封装；所述像元包括基底（1）和微桥结构（5），所述微桥结构（5）包括桥面（51）、桥腿（52）和桥墩（53）；基底（1）包括包含读出电路的衬底、金属块（2）、吸气剂层（4）和绝缘介质层（3），金属块（2）、绝缘介质层（3）和吸气剂层（4）位于衬底上，绝缘介质层（3）部分覆盖在金属块（2）上，绝缘介质层（3）上设有开口以使金属块（2）局部上表面露出；封帽结构的侧壁具有减少相邻像元之间光学串扰的作用； 所述封帽结构包括封帽支撑层（6）、微偏振片结构层（7）、红外窗口层（9）和通道（8）；所述封帽支撑层（6）与所述像元连接，所述微偏振片结构层（7）和所述红外窗口层（9）依次层叠在位于所述封帽支撑层（6）的上表面；所述通道（8）贯穿所述微偏振片结构层（7）和封帽支撑层（6），所述红外窗口层（9）填满所述通道（8）；所述微偏振片结构层（7）具有纳米线栅结构。

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