中国科学院上海技术物理研究所李天信获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种测定薄膜功函数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119715685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411907615.2，技术领域涉及：G01N27/00；该发明授权一种测定薄膜功函数的方法是由李天信;程悦;辛蕊;张帅君;夏辉;邓伟杰;刘伟伟;毛飞宇设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测定薄膜功函数的方法在说明书摘要公布了：一种测定薄膜功函数的方法。步骤是：A使用标准试样对开尔文探针力显微镜测量表面电势进行标定；B在待测薄膜上加工隔离槽，分隔待测区域与周边的薄膜区域；C对隔离出的待测区域进行减薄，消除表面氧化和吸附对测量的影响；D使用开尔文探针力显微镜测量薄膜待测区域相对导电针尖的电势；E根据开尔文探针力显微镜在标准试样和待测薄膜上测得的相对电势，计算出薄膜的功函数，即待测薄膜的功函数等于标准试样的已知功函数加上开尔文探针力显微镜在标准试样和待测试样上测得的相对电势之差。本发明排除金属或合金表面氧化及吸附效应的影响，获得真实、高精度的功函数值；可以提供纳米级的空间分辨率和定位能力，适用于对薄膜进行原位的测量。
本发明授权一种测定薄膜功函数的方法在权利要求书中公布了：1.一种测定薄膜功函数的方法，其特征在于：它包括以下步骤： A、使用标准试样对开尔文探针力显微镜测量表面电势进行标定； B、在待测薄膜上加工隔离槽，分隔待测区域与周边的薄膜区域； C、对隔离出的待测区域进行减薄，消除表面氧化和吸附对测量的影响； D、使用开尔文探针力显微镜测量薄膜待测区域相对导电针尖的电势； E、根据开尔文探针力显微镜在标准试样和待测薄膜上测得的相对电势，计算出薄膜的功函数，即待测薄膜的功函数等于标准试样的已知功函数加上开尔文探针力显微镜在标准试样和待测试样上测得的相对电势之差。
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