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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411932614.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法是由苌现;朱画;张帆设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法，将初始掩膜图形的边缘分割成多个片段，并获取各片段各自对应的初始切割线；确定初始切割线的当前位置对应的初始边缘放置误差；根据第一初始边缘放置误差调整各片段的位置，得到中间掩膜图形；在中间掩膜图形的线端存在第二边缘放置误差的情况下，基于切割线移动比率调整初始切割线在片段上的位置，至仿真晶圆图形和参考掩膜图形匹配，得到目标掩膜图形。本申请根据切割线移动比率移动切割线以逐步调整中间掩膜图形的线端，降低了线端的边缘放置误差，也提高了线端的曲率和包容度，提升了修正后目标掩膜图形的精准性和质量。

本发明授权一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，包括： 将初始掩膜图形的边缘分割形成多个片段，并获取各片段各自对应的初始切割线，所述初始切割线与所述片段正交； 确定所述初始切割线的当前位置对应的初始边缘放置误差；所述初始边缘放置误差包括掩膜图形的线宽方向的第一初始边缘放置误差和线端位置的第二初始边缘放置误差； 根据所述第一初始边缘放置误差调整各所述片段的位置，至仿真晶圆图形和所述初始掩膜图形对应的参考掩膜图形的线宽匹配，得到中间掩膜图形；所述仿真晶圆图形是基于调整后的初始掩膜图形进行光刻仿真得到的光刻图形，所述参考掩膜图形是所述初始掩膜图形对应的在无光学临近效应影响时所得到的目标光刻图形； 在所述中间掩膜图形的线端存在所述第二初始边缘放置误差的情况下，基于切割线移动比率调整所述初始切割线在所述片段上的位置，至所述仿真晶圆图形和所述参考掩膜图形匹配，得到目标掩膜图形；所述切割线移动比率指的是在所述初始掩膜图形或者所述中间掩膜图形的线端，切割线在对应片段上的移动角度；所述切割线移动比率是基于所述初始掩膜图形的线端长度和工艺节点确定的。

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