华中科技大学;湖北光谷实验室张宇获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北光谷实验室申请的专利一种单片异质集成的光器件的制备方法及光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411987674.5，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种单片异质集成的光器件的制备方法及光器件是由张宇;唐国彪;王健设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单片异质集成的光器件的制备方法及光器件在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种单片异质集成的光器件的制备方法及光器件。本发明的主要构思在于利用半导体平台同步对激光器、放大器SOA、调制器和天线组件进行设计，使其可通过一次异质集成即可设置于同一晶圆，达到缩减器件体积、降低工艺复杂度的目的。同时，本发明有选择性地选用了Ⅲ‑Ⅴ族材料作为异质集成材料，使得在同一晶圆上同步制备激光器、放大器SOA、调制器和天线组件成为可能，并利用于放大器的光放大效应，使激光器发射的激光经由多路放大后，在调制器的移相作用下，经由天线组件统一发出，以此增强光学相控阵的发射功率，进而提升以该光学相控阵为基础的激光雷达的应用价值。
本发明授权一种单片异质集成的光器件的制备方法及光器件在权利要求书中公布了：1.一种单片异质集成的光器件的制备方法，其特征在于，包括： S10、根据光器件上元件的分布位置及连接关系，在第一晶圆上分别刻蚀相应于所述的元件的刻蚀区域以及用于连接各所述的元件的连接波导； S20、根据所述的元件的差异，有针对性地对所述的刻蚀区域进行掺杂，获取第一功能层； S30、以介质层为键合基础，将设置于所述的介质层的第二晶圆异质集成于所述的第一晶圆； S40、根据所述的元件的差异，有针对性地刻蚀所述的第二晶圆，获取第二功能层； S50、根据所述的元件的差异，有针对性地刻蚀所述的介质层，再有针对性地对刻蚀后的所述的介质层进行掺杂，获取第三功能层； S60、将第一金属层分别沉积于所述的第一功能层和所述的第二功能层； S70、将第二金属层沉积于所述的第三功能层； S80、将第三金属层分别沉积于所述的第一金属层和所述的第二金属层。
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