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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利存储器件/逻辑器件兼容的半浮栅晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510008760.5，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权存储器件/逻辑器件兼容的半浮栅晶体管的制造方法是由杨仕玲;马雁飞设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件/逻辑器件兼容的半浮栅晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器件逻辑器件兼容的半浮栅晶体管的制造方法，不使用硬掩膜来形成U型沟槽，可避免半浮栅多晶硅隐没在硬掩膜之间，可减小接触窗口的刻蚀深宽比，第一半浮栅多晶硅不必回刻；而且，由于不使用硬掩膜来形成U型沟槽，在沉积第二半浮栅多晶硅后，第一有源区和X方向浅沟槽隔离上的半浮栅多晶硅没有厚度差，浮栅多晶硅回刻前后逻辑区域和存储区域的半浮栅多晶硅厚度一致，因此可以建立在线量测，并利用先进过程控制精确控制存储区域的半浮栅多晶硅厚度刻蚀到目标厚度，能降低工艺难度进行量产。

本发明授权存储器件/逻辑器件兼容的半浮栅晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件逻辑器件兼容的半浮栅晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.提供半导体硅衬底100； 半导体硅衬底100由Y方向浅沟槽隔离102隔开成存储区域103及逻辑区域104； 在存储区域103，半导体硅衬底100由多条X方向浅沟槽隔离101隔开成多条X方向第一有源区105；X方向为同所述第一有源区的长度方向平行的方向，Y方向和X方向垂直； S2.在第一有源区105及X方向浅沟槽隔离101表面涂布第一光刻胶，进行Y方向开口光刻，刻蚀去除Y方向开口处的X方向第一有源区105的硅衬底上部，沿多对Y方向开口在各第一有源区105形成U型沟槽109，每对Y方向开口由X方向相邻的两道Y方向开口组成；然后去除第一光刻胶； S3.在第一有源区105上表面及U型沟槽109表面生成半浮栅介质层110； S4.沉积第一半浮栅多晶硅1201，第一半浮栅多晶硅1201将所述U型沟槽109完全填充； S5.在第一有源区105及X方向浅沟槽隔离101表面涂布第二光刻胶，光刻，刻蚀，在各对Y方向开口对应的U型沟槽的X方向外侧的第一有源区105上去除设定宽度的半浮栅介质层110暴漏该处的第一有源区105，形成接触窗口111；然后去除第二光刻胶； S6.沉积第二半浮栅多晶硅1202，第二半浮栅多晶硅1202填充接触窗口111； S7.浮栅多晶硅回刻，将存储区域103的半浮栅多晶硅厚度刻蚀到目标厚度，从而得到最终半浮栅多晶硅； S8.进行后续工艺。

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