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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510058412.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法是由张守龙;任婷婷;姚道州;杨鑫;杜保田;汪健;惠科石;王玉新;赵正元设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法，通过在衬底背面的第二硬掩膜层上刻蚀形成金属格栅图形，接着以第二硬掩膜层为掩模，在富碳环境下，对第一硬掩膜层进行主刻蚀，以及在富氟环境下，对第一硬掩膜层进行辅刻蚀。本申请通过在富碳环境下对第一硬掩膜层进行主刻蚀打开第一硬掩膜层，同时减少氧气的供应，使沟槽靠近底部的侧壁和底壁上堆积一定量的副产物，随后在富氟环境下，对第一硬掩膜层进行辅刻蚀，对网格型沟槽的轮廓进行修整，去除附着在沟槽侧壁和底壁上的多余的副产物，改善了第二硬掩膜层中的网格型沟槽的形貌以及网格型沟槽侧壁厚度的均匀性，进而改善了后续刻蚀金属材料层形成的金属栅格的关键尺寸的均匀性。

本发明授权背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底的背面依次形成有栅氧化层、金属材料层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层； 在所述第二硬掩膜层上涂覆光刻胶层； 在所述光刻胶层上定义金属格栅图形，以得到图案化的所述光刻胶层； 以图案化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述第二硬掩膜层至所述第一硬掩膜层表面； 去除图案化的所述光刻胶层； 以图案化的所述第二硬掩膜层为掩模，在富碳环境下，对所述第一硬掩膜层进行主刻蚀并停止在所述金属材料层表面，以在所述第一硬掩膜层中形成网格型沟槽，其中，从所述网格型沟槽的顶端往底端方向，所述网格型沟槽的横向尺寸逐渐减小； 在富氟环境下，对所述第一硬掩膜层进行辅刻蚀，以修整所述网格型沟槽靠近底端的横向尺寸，以使所述网格型沟槽从顶端往底端方向的横向尺寸相等，其中，所述辅刻蚀的腔室压力小于所述主刻蚀的腔室压力、所述辅刻蚀的偏压射频电源的频率大于所述主刻蚀的偏压射频电源的频率，所述辅刻蚀的射频功率小于所述主刻蚀的射频功率。

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