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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利ETOX NOR型闪存器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510060459.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权ETOX NOR型闪存器件及其制备方法是由杜怡行;顾林;陈广龙;陈华伦设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本ETOX NOR型闪存器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种ETOXNOR型闪存器件及其制备方法，其中制备方法中，在控制栅材料层上形成盖帽层，然后形成第一深沟槽和第二深沟槽，并在第一深沟槽和第二深沟槽中填充牺牲氧化层，并平坦化牺牲氧化层，接着刻蚀第一深沟槽中的牺牲氧化层并通过离子注入工艺形成源线离子注入区；接着在第一深沟槽中填充源线材料层，本申请采用牺牲氧化层填充第一深沟槽，避免了传统SAS工艺中在深沟槽侧壁上残留光刻胶后续对器件性能造成不良影响的情形，改善了器件性能，也有利于存储单元的尺寸进一步微缩集成。

本发明授权ETOX NOR型闪存器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ETOXNOR型闪存器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包含存储区和外围逻辑区，其中，所述存储区的衬底上形成有栅氧化层、浮栅材料层、ONO介质层和控制栅材料层，所述外围逻辑区的衬底上形成有衬垫氧化层和控制栅材料层； 减薄一定厚度的所述存储区的控制栅材料层； 形成盖帽层，所述盖帽层覆盖所述存储区的控制栅材料层； 刻蚀所述存储区的剩余厚度的控制栅材料层、ONO介质层、浮栅材料层和栅氧化层，以形成多个第一深沟槽和多个第二深沟槽，所述第一深沟槽和所述第二深沟槽交错排列； 形成抗反射层，所述抗反射层填充所述第一深沟槽以及覆盖所述外围逻辑区的控制栅材料层； 刻蚀所述外围逻辑区的控制栅材料层和衬垫氧化层，以形成若干第三深沟槽； 形成第一侧墙材料层和第二侧墙材料层，所述第一侧墙材料层覆盖所述第一深沟槽、第二深沟槽和第三深沟槽的侧壁、底壁，所述第二侧墙材料层覆盖所述第一侧墙材料层； 形成牺牲氧化层，所述牺牲氧化层覆盖所述第二侧墙材料层以及填充所述第一深沟槽、所述第二深沟槽和所述第三深沟槽； 平坦化所述牺牲氧化层至所述第二侧墙材料层表面； 在平坦的所述牺牲氧化层和所述第二侧墙材料层表面涂覆光刻胶层； 通过光刻、刻蚀工艺，刻蚀去除所述存储区的第一深沟槽中的牺牲氧化层和第一深沟槽底壁的第二侧墙材料层和第一侧墙材料层； 通过离子注入工艺在所述第一深沟槽底部的衬底中形成源线离子注入区； 形成源线材料层，所述源线材料层填充所述第一深沟槽； 刻蚀去除所述存储区的第二深沟槽中的牺牲氧化层以及所述外围逻辑区的第三深沟槽中的牺牲氧化层； 形成第三侧墙材料层，所述第三侧墙材料层填充所述第二深沟槽和所述第三深沟槽； 刻蚀第二深沟槽中部分第三侧墙材料层、第二深沟槽底壁的第二侧墙材料层和第一侧墙材料层以得到存储区侧墙结构，以及刻蚀第三深沟槽中部分第三侧墙材料层、第三深沟槽底壁的第二侧墙材料层和第一侧墙材料层以得到外围逻辑区侧墙结构； 分别通过离子注入工艺，在所述第二深沟槽底部的衬底中形成位线离子注入区以及在所述第三深沟槽底部的衬底中形成源漏区； 通过自对准金属硅化物工艺，在所述存储区的位线离子注入区表面、源线材料层表面、以及所述外围逻辑区的控制栅材料层表面、源漏区表面形成金属硅化物层；以及 形成层间绝缘介质层，所述层间绝缘介质层填充所述第二深沟槽和所述第三深沟槽以及覆盖所述盖帽层、源线材料层顶端的金属硅化物层和外围逻辑区的控制栅材料层顶端的金属硅化物层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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