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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利基于固态纳米孔检测技术的Cd-EDTA检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119715752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510085731.9，技术领域涉及：G01N27/48；该发明授权基于固态纳米孔检测技术的Cd-EDTA检测方法是由冯思路;陈涛设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于固态纳米孔检测技术的Cd-EDTA检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于固态纳米孔检测技术的Cd‑EDTA检测方法，包括：获取纳米孔传感器，其中，纳米孔传感器中的纳米孔采用电子束光刻技术制备；配置电解质溶液；制备Cd‑EDTA样品并配置不同浓度的标准Cd‑EDTA溶液；配置电化学工作站之后，施加交流信号，并在预设频率范围内获取纳米孔传感器的响应信号，获得电流阻塞信号；基于Cd‑EDTA样品与不同浓度的标准Cd‑EDTA溶液对应的电流阻塞信号实现Cu‑EDTA的检测。本发明提高了对Cd‑EDTA复合物的检测灵敏度，能够在低浓度下实现精准检测。实现了实时、无标记检测，适用于矿区复杂环境中的污染物监测。

本发明授权基于固态纳米孔检测技术的Cd-EDTA检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于固态纳米孔检测技术的Cd-EDTA检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取纳米孔传感器，其中，所述纳米孔传感器中的纳米孔采用电子束光刻技术制备； 配置电解质溶液；制备Cd-EDTA样品并配置不同浓度的标准Cd-EDTA溶液； 配置电化学工作站之后，施加交流信号，并在预设频率范围内获取纳米孔传感器的响应信号，获得电流阻塞信号；基于Cd-EDTA样品与不同浓度的标准Cd-EDTA溶液对应的电流阻塞信号实现Cd-EDTA的检测； 采用电子束光刻技术制备纳米孔的过程包括： 将Si3N4基底清洗后表面涂覆一层光刻胶，其中，光刻胶的厚度基于纳米孔的孔径要求确定；光刻胶涂覆后，使用旋涂技术调节光刻胶涂层均匀性；电子束光刻机根据预设图案扫描光刻胶进行曝光；曝光后进行显影处理，去除未曝光的光刻胶部分；利用等离子体刻蚀技术将图案转移到Si3N4基底上，并通过刻蚀去除暴露区域的材料，完成纳米孔制备； 所述电解质溶液为氨水和甲醇的混合液，所述电解质溶液的pH范围为9.5-11.5； 制备Cd-EDTA样品的过程包括： 根据所需浓度计算Cd-EDTA复合物的所需质量并进行称取；完全溶解在去离子水中，并进行搅拌或超声波处理；将Cd-EDTA溶液加入到尾砂中，搅拌均匀，直至复合物充分吸附在尾砂表面，最终得到所需浓度的Cd-EDTA尾砂样品。

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