上海华力集成电路制造有限公司郑春杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利优化套刻标记信号的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119960274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105697.7，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权优化套刻标记信号的方法是由郑春杰;包永存;张驰;王剑设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本优化套刻标记信号的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种优化套刻标记信号的方法，包括步骤：在底层材料层的第一区域中形成填充物图形，填充物图形的填充材料的反射率大于底层材料层的反射率，第一区域和套刻标记的形成区域的至少部分区域相交，填充物图形的图形密度保证第一区域的顶部表面平坦。形成前层材料层并在前层材料层的套刻标记的形成区域中形成前层套刻标记。形成当层材料层并在当层材料层的套刻标记的形成区域中形成当层套刻标记；前层和当层套刻标记形成套刻标记组合结构，利用第一区域的顶部表面的平坦结构以及填充材料的大反射率改善套刻标记信号。本发明能防止前层套刻标记底部的大面积区域对套刻标记信号的不利影响，从而能优化套刻标记信号，提高套刻测量的精度。
本发明授权优化套刻标记信号的方法在权利要求书中公布了：1.一种优化套刻标记信号的方法，其特征在于，包括步骤： 提供底层材料层，在所述底层材料层的第一区域中形成填充物图形，所述填充物图形的填充材料的反射率大于所述底层材料层的反射率，所述第一区域和套刻标记的形成区域的至少部分区域相交；所述填充物图形的图形密度满足等离子体刻蚀和化学机械研磨工艺对图形密度的要求，以保证所述第一区域的顶部表面平坦，所述第一区域的顶部表面包括所述底层材料层的顶部表面和所述填充物图形的顶部表面； 形成前层材料层并在所述前层材料层的所述套刻标记的形成区域中形成前层套刻标记； 形成当层材料层并在所述当层材料层的所述套刻标记的形成区域中形成当层套刻标记；所述前层套刻标记和所述当层套刻标记形成套刻标记组合结构，利用所述第一区域的顶部表面的平坦结构以及所述填充材料的大反射率改善套刻标记信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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