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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种硅基和铁电材料异质集成的电光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119846863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510139201.8，技术领域涉及：G02F1/05；该发明授权一种硅基和铁电材料异质集成的电光调制器是由李冰;尹悦鑫;曾国宴;杨赏赐;周明辉;张大明设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基和铁电材料异质集成的电光调制器在说明书摘要公布了：一种硅基和铁电材料异质集成的电光调制器，属于光学调制器技术领域。从下至上依次由硅基衬底、下包层、光波导芯层、上包层组成，光波导芯层为基于贝塞尔形多模干涉耦合器的MZI型结构，由上光波导芯层和下光波导芯层构成；上光波导芯层和下光波导芯层均被包覆在上包层之中，上光波导芯层和下光波导芯层之间由上包层分隔开；本发明使用锆钛酸铅、镧修饰锆钛酸铅、钛酸钡等铁电材料作为上光波导芯层，使用较高折射率的氮化硅、硅作为下光波导芯层，不但有益于降低驱动电压和实现多功能、低功耗、大规模集成的光子器件，而且器件制备工艺简单，结构紧凑，可以在较大的带宽下获得较小的器件尺寸和较低的额外损耗。

本发明授权一种硅基和铁电材料异质集成的电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种硅基和铁电材料异质集成的电光调制器，其特征在于：从下至上依次由硅基衬底、下包层、光波导芯层、上包层组成，光波导芯层采用三维集成的方式，为上光波导芯层和下光波导芯层的两层结构；上光波导芯层和下光波导芯层均被包覆在上包层之中，上光波导芯层和下光波导芯层之间由上包层分隔开；光波导芯层为MZI型结构，由位于下光波导芯层中的输入直波导1、1×2输入贝塞尔形多模干涉耦合器2、第一输入S弯曲波导3、第二输入S弯曲波导4、第一输入下层楔形波导5、第二输入下层楔形波导6、第一输出下层楔形波导16、第二输出下层楔形波导17、第一输出S弯曲波导18、第二输出S弯曲波导19、2×1输出贝塞尔形多模干涉耦合器20、输出直波导21和位于上光波导芯层中的第一输入上层楔形波导7、第二输入上层楔形波导8、第一调制直波导9、第二调制直波导10、第一输出上层楔形波导14、第二输出上层楔形波导15组成；输入直波导1和输出直波导21位于同一条直线上，上光波导芯层和下光波导芯层为关于输入直波导1和输出直波导21的对称结构；在下光波导芯层中，输入直波导1连接输入1×2贝塞尔形多模干涉耦合器2的输入端，第一输入S弯曲波导3和第二输入S弯曲波导4的输入端分别连接1×2输入贝塞尔形多模干涉耦合器2的两个输出端，第一输入S弯曲波导3的输出端连接第一输入下层楔形波导5，第二输入S弯曲波导4的输出端连接第二输入下层楔形波导6；第一输出下层楔形波导16连接第一输出S弯曲波导18的输入端，第二输出下层楔形波导17连接第二输出S弯曲波导19的输入端，第一输出S弯曲波导18和第二输出S弯曲波导19的输出端分别连接2×1输出贝塞尔形多模干涉耦合器20的两个输入端，2×1输出贝塞尔形多模干涉耦合器20的输出端连接输出直波导21；在上光波导芯层中，第一调制直波导9和第二调制直波导10作为调制臂平行设置，第一输入上层楔形波导7连接第一调制直波导9的输入端，第一调制直波导9的输出端连接第一输出上层楔形波导14；第二输入上层楔形波导8连接第二调制直波导10的输入端，第二调制直波导10的输出端连接第二输出上层楔形波导15；所有楔形波导的尺寸相同，下光波导芯层中的第一输入下层楔形波导5、第二输入下层楔形波导6、第一输出下层楔形波导16、第二输出下层楔形波导17分别与上波导芯层中的第一输入上层楔形波导7、第二输入上层楔形波导8、第一输出上层楔形波导14、第二输出上层楔形波导15构成上、下平行设置的层间耦合结构；在上光波导芯层中，在第一调制直波导9的外侧、第一调制直波导9和第二调制直波导10之间、第二调制直波导10的外侧分别设置有相互平行的第一接地金属电极11、信号金属电极13和第二接地金属电极12；下光波导芯层25为氮化硅或硅中的一种，上光波导芯层26为锆钛酸铅、镧修饰锆钛酸铅或钛酸钡中的一种。

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