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西安电子科技大学杨敏获国家专利权

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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于多峰点现象的非均匀等离子鞘套分布微波反射诊断方法和系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120009831B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510170226.4,技术领域涉及:G01S7/02;该发明授权一种基于多峰点现象的非均匀等离子鞘套分布微波反射诊断方法和系统是由杨敏;贾飒;乔龙杰;刘浩岩;权磊;尹诗雨设计研发完成,并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于多峰点现象的非均匀等离子鞘套分布微波反射诊断方法和系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于多峰点现象的非均匀等离子鞘套分布微波反射诊断方法和系统,该方法通过采用多层双高斯分布构建非均匀等离子体鞘套电子密度空间分布模型,使用等效传输矩阵建立等离子体鞘的反射函数,对反射函数进行多高斯拟合并提取拟合曲线中的关键特征,将关键特征作为神经网络的输入对等离子鞘套空间分布参数进行诊断;系统用于实现该方法;本发明通过特征提取技术不仅实现了对反射数据的降维,去除了冗余信息和噪音,提高了数据处理的效率,而且通过构建反向传播神经网络,仅需关注最关键的特征,减少了训练时间和计算负担,同时提升了预测结果的准确性和鲁棒性。

本发明授权一种基于多峰点现象的非均匀等离子鞘套分布微波反射诊断方法和系统在权利要求书中公布了:1.一种基于多峰点现象的非均匀等离子鞘套分布微波反射诊断方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤1:构建非均匀等离子鞘套电子密度空间分布模型,将非均匀等离子鞘套电子密度空间分布模型分割成N层均匀分布的等离子体,并确定每一层等离子体的电子密度; 步骤2:根据等离子鞘套中每一层等离子体的电子密度,采用等效传输矩阵模型构建非均匀等离子鞘套的反射函数; 步骤3:对步骤2中非均匀等离子鞘套的反射函数进行多高斯拟合,得到拟合曲线,提取拟合曲线中的特征参数,所述拟合曲线中的特征参数包括波峰峰值ak、波峰处入射波的频率bk以及波峰宽度ck;同时设置拟合曲线中反射数据的波峰峰值阈值,判断出波峰截至频率fp0,进而诊断等离子鞘套的初始最大电子密度ne0; 步骤4:构建反向传播神经网络,并将拟合曲线中的特征参数和初始最大电子密度ne0作为输入集以及等离子鞘套的空间分布参数作为输出集,对反向传播神经网络进行训练,得到训练好的非均匀等离子鞘套分布微波反射诊断模型;所述等离子鞘套的空间分布参数包括等离子鞘套的最大电子密度ne,max、双高斯分布上升沿参数α1、等离子鞘套厚度lN以及碰撞频率ve; 步骤5:采用训练好的非均匀等离子鞘套分布微波反射诊断模型进行微波反射诊断,得到诊断结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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