中国科学院高能物理研究所郝雪瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利窄带滤波结构及高阶模阻尼腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120073259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510215976.9，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权窄带滤波结构及高阶模阻尼腔是由郝雪瑞;李晓;朱俊裕;龙巍;刘洋;陈胜义;张春林;吴彬;刘盛画设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本窄带滤波结构及高阶模阻尼腔在说明书摘要公布了：本发明公开了窄带滤波结构及高阶模阻尼腔，窄带滤波结构包括第一腔体，第一腔体开设有贯穿腔体的相对的两个表面的环形腔室，环形腔室的内表面开设有与环形腔室同轴的环形耦合槽；绝缘环，与环形耦合槽同轴；金属环，套设在绝缘环上，且与绝缘环同轴，金属环设置于环形耦合槽中，以形成RLC等效电路结构。本发明技术方案中，由于窄带滤波结构等效为RLC等效电路结构，因此，减小了波节点附近的磁场变化率，有效降低了工作模式下的电磁场泄漏，进而提高了高阶模阻尼腔在高梯度下工作的稳定性。
本发明授权窄带滤波结构及高阶模阻尼腔在权利要求书中公布了：1.一种窄带滤波结构，其特征在于，包括： 第一腔体，所述第一腔体开设有贯穿所述第一腔体的相对的两个表面的环形腔室，所述环形腔室的内表面开设有与所述环形腔室同轴设置的环形耦合槽； 绝缘环，与所述环形耦合槽同轴设置； 金属环，套设在所述绝缘环上，且与所述绝缘环同轴，所述金属环设置于所述环形耦合槽中，以形成RLC等效电路结构。
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