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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种MEMS加速度计、地震检波器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119986042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510222078.6，技术领域涉及：G01P15/125；该发明授权一种MEMS加速度计、地震检波器及制备方法是由刘骅锋;魏星宇;徐娇;张少林;王秋设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS加速度计、地震检波器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于MEMS器件领域，具体公开了一种MEMS加速度计、地震检波器及制备方法，加速度计的敏感单元在SOI制备，包括：外框架、质量块、弹簧结构、拾取结构、第一反馈电容结构以及第二反馈电容结构；弹簧结构制备在SOI第一层，第一反馈电容结构和第二反馈电容结构制备在SOI第三层，第一层和第三层为衬底层和器件层的任一种组合；第一反馈电容结构和第二反馈电容结构分别设置在质量块的敏感轴和垂直敏感轴方向，且分别为变面积电容和变间距电容；拾取结构设置在SOI第一层质量块的上方。通过本申请，基于SOI工艺降低MEMS加速度计所占面积，且可将传感信号和反馈信号通过SOI的绝缘层隔离，提升加速度计检测精度，并调控加速度计反馈执行的线性度。

本发明授权一种MEMS加速度计、地震检波器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS加速度计，其特征在于，包括：敏感单元； 所述敏感单元包括：外框架、质量块、弹簧结构、拾取结构、第一反馈电容结构以及第二反馈电容结构； 所述外框架的上端、质量块的上端以及弹簧结构在SOI的第一层制备得到；所述弹簧结构将质量块与外框架连接； 所述外框架的中端、质量块的中端在SOI的第二层制备得到； 所述外框架的下端、质量块的下端、第一反馈电容结构以及第二反馈电容结构在SOI的第三层制备得到；所述第二层为绝缘层，第一层和第三层为衬底层和器件层的任一种组合；所述第一反馈电容结构和第二反馈电容结构分别设置在质量块的敏感轴和垂直敏感轴方向，且分别为变面积电容和变间距电容；两个反馈电容结构的动极板与质量块连接，定极板与外框架连接；所述外框架上设置有多个贯穿SOI第三层的隔离槽，用于将第一反馈电容结构和第二反馈电容结构中不同极性和不同类型的定极板电隔离； 所述拾取结构设置在质量块上端的上方。

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