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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种基于半解析解的粗糙表面接触电阻预测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120296979B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510410226.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于半解析解的粗糙表面接触电阻预测方法及装置是由柯燎亮;沈飞;李友华;张纯正;崔新雨;戴杭岑;张子骁设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于半解析解的粗糙表面接触电阻预测方法及装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了基于半解析解的粗糙表面接触电阻预测方法，涉及电接触技术领域，该方法包括：根据粗糙表面的表面形貌、统计学特征与分形特征，数值生成粗糙表面；所述粗糙表面的表面形貌包括形貌函数；所述统计学特征包括高度分布规律；所述分形特征包括：功率谱密度函数；确定电接触载荷条件、材料参数以及接触参数，推导接触电阻的半解析解；基于所生成的粗糙表面与所述半解析解，推导接触电阻预测模型；利用所述接触电阻预测模型，对不同粗糙表面的接触电阻进行数值预测。本方案，考虑了各种表面参数对接触电阻的影响，对所有影响较大的参数进行拟合分析，提炼得到接触电阻预测模型，可以极大的提高粗糙表面接触电阻的预测效率和准确性。

本发明授权一种基于半解析解的粗糙表面接触电阻预测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于半解析解的粗糙表面接触电阻预测方法，其特征在于，包括： 根据粗糙表面的表面形貌、统计学特征与分形特征，数值生成粗糙表面；其中，所述粗糙表面的表面形貌包括形貌函数；所述统计学特征包括高度分布规律；所述分形特征包括：功率谱密度函数； 确定电接触载荷条件、材料参数以及接触参数，推导接触电阻的半解析解； 基于所生成的粗糙表面与所述半解析解，确定接触电阻预测模型； 利用所述接触电阻预测模型，对不同粗糙表面的接触电阻进行数值预测； 所述接触电阻的半解析解包括如下方程及条件： 约束条件为： 其中，Rc是接触电阻，是接触区域内的平均电势，I是通过接触界面的总电流，Jk,l代表接触表面上每个节点上的电流密度，Vk,l则代表电势分布，下标k、l代表离散粗糙表面在x、y方向上的节点序号，分别满足1≤k≤Nx,1≤l≤Ny,lx与ly分别为离散网格在两个方向上的长度，Nx×Ny表征粗糙表面离散节点数目；所述基于所生成的粗糙表面与所述半解析解，确定接触电阻预测模型，包括： 确定所生成的粗糙表面的表面参数，其中，所述表面参数包括均方根粗糙度、Hurst指数及表面最大最小截止波数； 利用所述表面参数、目标参数和所述半解析解，生成对应的接触电阻数据，所述目标参数为生成接触电阻数据所对应的电接触载荷条件、材料参数和接触参数； 对所述接触电阻数据进行分析和拟合，提炼得到接触电阻预测模型。

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